等离子体技术【十三】--中频电源

  https://www.cnblogs.com/jinyulao/p/15009657.html,此贴介绍了使用DC电源的问题及现象,包括弧光放电、阳极消失、靶中毒。

  以上问题均来自于:沉积介质薄膜时,若采用DC反应溅射,阳极表面逐渐被化合物覆盖,使接地电阻越来越高,直到完全被绝缘物覆盖,导致二次电子没有去处,形成“阳极消失”现象。阳极消失现象使辉光放电阻断,放电过程变得越来越不稳定,最后导致频繁的异常辉光放电,这对成膜是非常有害的。

  从电路的角度来说,绝缘层的形成,相当于对地形成电容,DC电源是无法穿透的,但高频电流是可以穿透导通的。(隔直流通交流)

  亦即使是说,如果当阴极表面积累了一定的正电荷时,在没有引起弧光放电之前,电源产生一个反向电压,使累积在绝缘层上的正电荷及时被中和,就可抑制上述现象。

  因此需要确认“弧光放电”所需的时间:

 

 

  再从绝缘膜构成电容的角度计算:

  设到地电容为C,电压为V,累积的电量为Q,则有,

 

 

 

posted @ 2021-07-20 20:26  抱树的金鱼佬  阅读(769)  评论(0编辑  收藏  举报