摘要: 以下摘自《CO2激光驱动锡靶产生极紫外光源的实验研究》 一、EUV简介 在下一代光刻机光源的候选名单中,最受大家关注的是,离子体辐射极紫外光(EUV: extreme ultraviolet),极紫外光刻技术能够使特征尺寸小到50nm以内。 某些靶材的等离子体辐射出EUV光,在某个波段会出现峰值,比 阅读全文
posted @ 2021-07-29 10:54 抱树的金鱼佬 阅读(4863) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 1、等VSWR圆 2、等Q圆 3、等虚部线 4、等阻抗圆/等电抗圆 阅读全文
posted @ 2021-07-22 18:29 抱树的金鱼佬 阅读(947) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 1、阻抗匹配的作用 高能量射频源被用于等离子体沉积和光刻过程中。在不同的生产过程中,等离子体室阻抗的变化十分复杂。为了提高集成电路品质,需要在工作期间保证等离子体均匀稳定。而有关实验证明,系统的输入功率直接影响等离子体的浓度和压力。因此,从功率角度来看,需要稳定系统的输入功率。换句话说,要保证等离子 阅读全文
posted @ 2021-07-22 09:41 抱树的金鱼佬 阅读(2930) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 摘自《高功率CO2激光器及其应用技术》 从上面的指标可以看出,CO2激光脉冲宽度要求在15~20ns左右。而用射频电源根本没办法做到,一般脉冲频率为10KHz~100KHz,脉冲宽度对应为10us~100us,相差整整三个量级。 阅读全文
posted @ 2021-07-21 10:43 抱树的金鱼佬 阅读(609) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: https://www.cnblogs.com/jinyulao/p/15009657.html,此贴介绍了使用DC电源的问题及现象,包括弧光放电、阳极消失、靶中毒。 以上问题均来自于:沉积介质薄膜时,若采用DC反应溅射,阳极表面逐渐被化合物覆盖,使接地电阻越来越高,直到完全被绝缘物覆盖,导致二次电 阅读全文
posted @ 2021-07-20 20:26 抱树的金鱼佬 阅读(769) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 摘自《真空镀膜技术》--张以忱 一、直流放电的特性 1、暗光放电(A点-B点):开始给阴极施加负电压-->放电电流密度较小,仅为10^-16到10^-14(A/cm2) 2、Townsend放电区(C点-D点):电压继续增大,进入汤森放电区。 特点:电压受电源输出阻抗限制(DC电源的输出阻抗很高)而 阅读全文
posted @ 2021-07-20 17:26 抱树的金鱼佬 阅读(1926) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 打火管理:电压突变、电流突变、用模拟门电路方法实时检测 摘自《真空薄膜技术》--张以忱,3.9.4.4 阅读全文
posted @ 2021-07-19 14:13 抱树的金鱼佬 阅读(532) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 阅读全文
posted @ 2021-07-14 10:30 抱树的金鱼佬 阅读(557) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 一、串扰与CEX 相位同步 CEX是多数射频电源的功能之一,它可减轻串扰,并消除与之相关的问题。通常又叫相位同步。该功能可与系统上的所有电源相匹配,与其波形相吻合,从而使所有的阴极始终处于同相状态 。 下图显示了在没有使用CEX时会出现的阴极之间的串扰,并产生波形的电位差。(摘自AE官网) 如AE公 阅读全文
posted @ 2021-07-14 10:24 抱树的金鱼佬 阅读(1284) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 摘自《等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用》2.3.4 远程等离子源也称为远程高密度等离子发生器,它是半导体、芯片制造过程中的核心装备。它用离化后的氟来清洗沉积在芯片结构内部的硅粉尘。在半导体、芯片等制程中,随着时间的增加,在芯片内部和表面都会沉积大量的硅粉尘。远程等离子源能够提供大量离化氟 阅读全文
posted @ 2021-07-14 09:51 抱树的金鱼佬 阅读(4121) 评论(0) 推荐(0) 编辑