MOS管

mos工作原理：http://www.360doc.com/content/15/0930/11/28009762_502419576.shtml，

开关特性好，长用于开关电源马达驱动，CMOS相机场合。

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化

 

 

 

NMOS：箭头指向G（绝缘层实线的表示耗尽型即不加栅极电压也有导电沟道产生，导通电阻小，成本低容易制造），通常共源接法（源极接GND，Vgs正偏压大于4~10V导通）称为低端驱动。

PMOS：箭头背向G（绝缘层实线的表示耗尽型即不加栅极电压也有导电沟道产生），Vgs正偏压小于一定电压导通称为高端驱动（导通电阻大价格贵）。

一 MOS管栅极加几欧姆~几十欧姆电阻的作用：通常情况下mos管有很高的输入阻抗，在低频下加不加无所谓，但在高频下，栅极的脉冲比较陡峭，此时输入阻抗会降低或变为负值引起控制逻辑震荡，此时加小电阻可以降低这种震荡，电阻太大导通时间变长发热厉害，电阻太小 di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏解决不了震荡问题，当是也没有公式计算这个电阻的大小，可根据额定电压，电流和导通频率综合考量，根据手册上的Td on 和Td off电阻决定

二 MOS管的选型和使用https://www.cnblogs.com/dzcql/p/7593877.html：

2.1 晶体管还是MOS管：MOS管的Vgs从高到低（由导通到截止，通过Rd,电容充电），Vgs从低到高（由截止到导通，通过Rds,电容放电），因为Rds远小于Rd所以放电速度大于充电速度（MOS管从截止到导通，输出电压从H-L的时间比MOS管从导通到截止，输出电压从L-H的时间短）；MOS管的Rd和Rds都比晶体管的饱和电阻Rces和集电极电阻Rc大，所以速度相比要慢。

2.2根据高低端驱动类型选择Nmos/Pmos,根据额定电流进行选型；根据手册的结温和热阻，可计算不同温度下的导通耗散进而算出不同温度下的导通电阻（与Vgs成反比，随温度和电流升高而升高。）

2.3导通功率耗散和切换耗散：导通功率耗散与Rds有关；而切换耗散的降低可以降低切换速度和开关频率。

2.3DS之间寄生二极管（只有单体MOS有，对驱动马达等感性负载很重要）防止DS反接。如果源极和衬底连在一起则DS之间就有了寄生二极管，此时DS不能互换。

参考：

MOSFET特性与应用、

非常详细的MOSFET基础教程

如果当年这样讲MOSFET，模电不逃课（一)

不同电平信号的MCU之间怎么通信？

 

 

 

 NPN和N沟道的mos管箭头相反。

mos相比晶体三极管的特性：

1 G与DS绝缘，输入阻抗小，交流输入呈容性特点；驱动功率小；噪音系数小；只有多子导电而无少子存储，因而作为开关时候关闭速度快；受温度变化下，当环境温度升高时，沟道电流反而下降，所以不会像晶体管一样的电流因随温度升高而升高螺旋的的破坏性的热电击穿现象；导通后的纯阻性可以在功率不够时并联提高功率；当源极S与衬底相连时DS可以互换性能不受影响，而晶体三极管B则会下降。

 

MOS管从入门到精通:S与D区分哪个是输入，pmos/nmos怎么区分，体二极管方向与衬底箭头方向，mos管的作用（信号/电压开关，隔离（类似二极管的反向不导通，没有压降）），是高电平还是低电平导通？

　　G单独一边，连在一起的是S,另一个是D.箭头朝内的是nmos，否则是pmos；体二极管提供断开续流作用，电流方向与平时相反，根据此判断输入与输出：体二极管的负极是输入；开关导通电压Vgs是相对S来说的，nmos的s接地，所以G>S导通（电平通断时高3~5v;电压通道时要高10~15v）;在控制电流单向时可以用二极管和mos管，但二极管有压降；