存储：

一 关于NORFLASH的片内执行程序：

  NORFLASH适合片内执行主要是符合了3个特点：读速度快（CPU的取指令）、线性存储、位交换概率小（这两条保证要执行的代码区是连续的准确的）。因为可片内执行，所以省去CPU取指令的复制和解压，所以体积可以做的很小。NANDFLASH只保证BLOCK0是好的，它只是不适合而不是不能片内执行。http://blog.chinaunix.net/uid-26404697-id-3152290.html

二 RAM与ROM：

2.1RAM:SRAM(静态RAM):速度快成本高用在特殊场合；

2.2动态RAM:DRAM:速度比静态RAM慢，数据保留的时间短（需要动态刷新），利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息所以可以大规模集成，操作时需要刷新）。DDRAM:DRAM的改进，每个时钟周期可读写2次提高了速度。计算机的内存指的是DDRAM，存储是0还是1取决于当前电容是否有电（大于1/2位1），动态RAM需要以一定的时钟速度进行扫描刷新：对大于1/2的充电，小于1/2的放电。

2.3ROM:用来存放程序的，以前主要是EEPROM.

三FLASH:

即是闪存，包括NANDFLASH和NORFLASH。兼容了EEPROM和RAM的特点。存储代码BOOTLOADER或闪存。操作前需要先搽除（以SECTION为单位），写可以以字节为单位。

3.1NANDFLASH:东芝技术，IO操作，比较复杂，最好自带驱动，接口不直接挂在总线上，需要复杂的操作才能实现（控制 数据命令操作）。

3.2NORFLASH:intel技术，SRAM接口。

四eeprom:

操作以字节为单位。

五外部flash数据管理的方法和策略：NORflash:这种可以以字节写入，但必须以最小单位擦除不能进行实时改写特点的存储设备，复位后存储位置确定，磨损均衡性，都需要多关注。

5.1基于周期存储：定时产生需要备份的数据，此时需要结合每条记录的长度，存储空间的大小，存取和擦除的位置及时间要求。

http://xueshu.baidu.com/s?wd=paperuri%3A%288c76eed12ff4fe9b803ed4c7e3a986e5%29&filter=sc_long_sign&tn=SE_xueshusource_2kduw22v&sc_vurl=http%3A%2F%2Fwww.doc88.com%2Fp-7754534648021.html&ie=utf-8&sc_us=2716126120960860448

http://www.eefocus.com/majianhui/blog/13-10/299426_05883.html

5.2基于事件触发的存储