场效应管：

一 PMOS（SI2303):

源极（S)/漏极（D)识别：二直连为S；理论上DS可以互换，S提供载流子，D接收载流子；

P/N沟道识别：中间二极管对外（或寄生二极管方向向下）为P沟道（源极S接高电位，栅极G低电平SD导通），否则为N沟道（源极接低电位）。

pmos管作为负载开关使用时，是由Vsg的电压值来控制S（source源极）和 D（drain漏极）间的通断。

Vgs的最小阀值电压为：0.4v，也就是说当Vsg (Vs-Vg)  > 0.4V 时， 源极 和 漏极导通。因为Rsg为毫欧级别，可认为VS=VG

在实际使用中，一般G极接MCU控制管脚，S极接电源正极VCC，D极为控制电源的输出（接器件的电源输入）。