MEM in logisim

• 地址宽度2～24，地址宽度(Address Bit Width)是24位，则能够表示的地址数量是$ 2 ^ {24} = 16,777,216$，每个数值最多占用32位(Data Bit Width)。
• RAM支持修改数值，通过poke tool实现
• 内存中的值直接显示在元器件上面，地址是在每一行的开头以灰色显示。

支持三种模式，默认为：同步store/load
最右边是数据，既可以作为读也可以作为写
ld信号线=1表示从address读数据，ld=0表示往address写数据。需要配合controlled buffer来实现数据读写

controlled buffer

three state buffer:三态缓冲器，最下面是1bit控制信号，如果控制信号是1，则元器件执行buffer(左侧元器件)或非门逻辑（右侧元器件）；如果控制信号是0或未知， 输出也是浮动的。
three state inverter:

Pins
A: 最左侧，决定访问哪个地址的数据

D：最左侧，这个输入线只有在"separate load and store ports"有效时才会显示

D:最右侧，如果sel和ld是1，RAM会在D口发射出选定地址的数据。如果是单一的load/store口，从这个口读出的数据会被store

sel:选择信号，如果是1，表示整块unit有效，0表示无效

三角符号：时钟信号

ld:决定是否将从A读取的地址的数据从D口输出，1表示输出，0表示不会有数据从D口输出，但如果只有一个口即作为load又作为store，那么store会被开启

例如proj3的mem.circ如下图所示

其中Write_Data有32位，是一个4B大小的数据，第8位的一个字节数据，被输入到第一块RAM中，因为一块RAM的数据单元大小是1B，所以把Write_Data的每个字节分别写入一个RAM是对的。

现在这右边的线是红的，这个clk是一个pin，固定输入0，改成clk unit后，如下

step once, 输出信号有效

时钟信号上升

数据到蓝圈处，即将得到输出，输出也是4B，每个数值是8bit，表示一个字节，共4字节组合成最终输出