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2010年12月23日 #

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A)

摘要: S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A)S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器。S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性:l 一个引导启动单元l Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand flashl 软件模式:用户可以直接访问Nand Flash存储器,此特性可以用于Nand Flash存储器的读、擦除和编程。l S3C2440支持8/16位的Nand Flash存储器接口总线l 硬件ECC生成,检测和指示(软件纠错)。l Steppingstone接口 阅读全文

posted @ 2010-12-23 21:41 idle_man 阅读(7751) 评论(0) 推荐(3) 编辑

Nand Flash 原理简介(转)

摘要: Nand Flash 原理简介 NAND flash是东芝公司开发的一种非易失闪存技术,具较高的单元密度,可以达到高存储密度,写入和擦除速度较快。NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,具有很快的写入和擦除速度,主要功能是存储资料,目前主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一 阅读全文

posted @ 2010-12-23 10:32 idle_man 阅读(2710) 评论(0) 推荐(0) 编辑

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