摘要:
1 2 3 阅读全文
该文被密码保护。 阅读全文
摘要:
MOS管常用效应 阅读全文
摘要:
晶体管的本征增益$g_{m} r_{0}$ 可以理解为负载为无穷大时的增益,即由MOS本身参数生成的增益,比如简单共源极情况下,本征增益大小为 $g_{m} r_{0}$,$g_{m} r_{0}$为MOS本身的等效电阻。 晶体管的本征增益为$g_{m} r_{0}$,其中 $g_{ds}$又可以写 阅读全文
摘要:
通向模拟集成电路设计师之路 - 知乎 (zhihu.com) 开关电源环路学习笔记(8)-如何快速看出零点和极点 - 知乎 (zhihu.com) 模拟电路学习笔记(2):零点与极点 - 知乎 (zhihu.com) 模拟电路基础之频率响应(一)极点的物理意义 - 知乎 (zhihu.com) 模拟 阅读全文
摘要:
ctrl + z 撤消 ctrl + y 重做 ctrl + b 粗体 ctrl + i 斜体 ctrl + u 下划线 ctrl + 1-6 h1-h6 ctrl + 7 p ctrl + 8 div ctrl + 9 地址 阅读全文
摘要:
Top 10 上市公司 Top 10 EDA/IP公司 Top 10 MCU公司 Top 10 电源管理芯片(PMIC)公司 Top 10 AI芯片公司 Top 10 无线连接(WiFi/BT/NB-IoT/LoRa/UWB)芯片公司 Top 10处理器(CPU/GPU/FPGA/ASIC)芯片公司 阅读全文
摘要:
作为CMOS双向开关工作的传输门 CMOS传输门 阅读全文
摘要:
MOS管做电容 若MOSFET的GSD短接,可以做什么器件用?其高频C-V特性如何? - 知乎 (zhihu.com) 独立元件的话衬底一般是短接到源的,没有引出,这样接完全没用。 独立元件虽然有用PN结做varactor的,但是用的是diode,不是用MOS结构(反正只要个PN结,做MOS不是浪费 阅读全文