01 2025 档案

摘要：深度线性区的MOSFET主要被用于模拟电阻的用途。在深度线性区，MOSFET表现出可调电阻的特性，其电阻值由栅源电压

V_{g s}

控制。由于在该区域工作时漏源电压

V_{d s}

远小于

2 (V_{g s} - V_{t h})

，MOSFET的漏极电流

I_{d}

与

V_{d s}

之阅读全文

posted @ 2025-01-09 18:56 icmaxwell 阅读(72) 评论(0) 推荐(0) 编辑

体二极管方向

摘要：与管子导通电流方向相反阅读全文

posted @ 2025-01-08 14:33 icmaxwell 阅读(5) 评论(0) 推荐(0) 编辑

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2025年3月

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