场效应管通俗易懂的使用方法

输入阻抗

输入阻抗包括感抗、容抗、电阻

输入阻抗跟一个普通的电抗元件没什么两样，它反映了对电流阻碍作用的大小。

对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动；（电阻越大，电阻两端分得的电压也就越大）

而对于电流驱动型的电路，输入阻抗越小，则对电流源的负载就越轻。（电阻越小，电流就接近电源电流）

因此，我们可以这样认为：如果是用电压源来驱动的，则输入阻抗越大越好；如果是用电流源来驱动的，则阻抗越小越好（注：只适合于低频电路，在高频电路中，还要考虑阻抗匹配问题。另外如果要获取最大输出功率时，也要考虑阻抗匹配问题。）

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 输出阻抗

阻抗是电路或设备对交流电流的阻力，输出阻抗是在出口处测得的阻抗。阻抗越小，驱动更大负载的能力就越高。

场效应管通俗易懂的使用方法

会用为先，再来理解，一举拿下，两全其美。

场效应管和三极管一样，也是三个引脚，里面也有PN结区域，P表示空穴（正电子），N表示负电子。

N沟道结型场效应管：栅极G电流向内流

分析N沟道EMOS管：

N结的形成是因为电子为载流子，没有形成共价键的电子便成为了载流子。

1.当栅极G引脚悬空时，漏极D和源极S相当于一根导线，载流子为游离的电子；（电流较小）

2.当栅极G引脚接低电平，漏极和源极随便哪一个极接高电平时，G和N或G和S之间的PN结就反偏，反偏那么GD或GS之间就不会导通，还会导致PN结向中间扩展当中间全部被PN结覆盖时就意味着阻断了D极和S极之间的通路。

结论：N沟道EMOS管的栅极G接低电平时，PN结反偏，当反偏电压加载到反偏截至区时DS之间就不会导通（D极或S极接高电平）

3.当栅极G引脚接高电平，漏极D或源极随便哪一个接低电平时，导通电压Vgd或Vgs满足时，漏极D和源极S之间就导通，并且是大电流导通，因为你就是不接G极时，DS之间也会有电流，但是没有电流放大作用，在G极接高电平时就对电流经行了放大，并且在G极接低电平，S极或D极接高电平时，SD之间截至。

结论：N沟道EMOS管的栅极接高水平时，PN结正偏导通，对电流有放大作用。

 

现在用的比较多的MOS管是栅型场效应管（如上图），且N型沟道用的最多，因为材料便宜导电性质好。

当G极加高电平S极加低电平时，GS导通，GS导通那么SD之间也导通，平时SD之间存在PN结所以不会导通，只有当G极加正向电压S极加GND时，SD之间才导通。这比以前使用的结型的MOS管更科学更好使用。

最后使用方法：对于栅型场效应管的N沟道管，G极接高电平S极接低电平，SD之间就导通，具有电流放大作用；反之，G极接低电平，SD之间不导通。

P沟道结型场效应管：栅极G电流向外流

 

 

 N沟道结型场效应管内部原理图

 

增强型：EMOS

耗尽型：DMOS

N沟道：NMOS

P沟道：PMOS

N沟道EMOS模型

 

N沟道EMOS管外部工作应满足的条件：

1.VDS > 0（漏极和源极之间的电压必须大于0，保证漏衬PN结反偏）

2.U接电路最低电位或S极（保证源衬PN结反偏）

3.VGS > 0（形成导电沟道）

总结：对于N沟道EMOS管常规操作方法：S极接电源的负极是D极的公共端，所以可以在D极上串联一个负载，负载的另一端接电源+，而G极高电平接通SD端，而低电平断开SD端。P沟道EMOS管与N沟道EMOS管逻辑相反，不同之处在于G极是低电平导通SD端且D极接GND，高电平断开。

全部用法：https://wenku.baidu.com/view/91fd27116f1aff00bfd51ebc.html

举例说明，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640），电源电压12V，具体到你这个电路中，图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法。

N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）N沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）

 漏极输出：G高电平有效（高电平时SD导通，S接低电平为D的公共端）

 源极输出：G低电平有效（低电平时SD导通，D接低电平为S的公共端）