模拟电子世界

        1、纯净的半导体称为本征半导体。半导体的导电性能决定于原子结构。常用的半导体硅(si)和锗(Ge)均为四价元素，他们的最外层电子既不像导体那么易挣脱

原子核的束缚，也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧，因而其导电性介于二者之间。

         2、晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。

         3、本征半导体中的两种载流子。运载电荷的粒子称为载流子。导体中只有一种载流子，即自由电子导电；而本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电，这是半导体导电的特殊性质。

         4、杂质半导体。通过扩散工艺，在本征半导体中参入少量合适的杂质元素，便可得到杂质半导体。

         5、N型半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。由于杂质原子的最外层有五个价电子，所以除了与周围硅原子形成共价键外，还多出一个电子。N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，故称自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子，简称前者为多子，后者为少子。由于杂质原子可以提供电子，故称之为施主原子。

          6、P型半导体。在纯净的硅原子中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中的硅原子的位置，就形成P型半导体。

              ---〉空穴为多子；杂质原子中的空位吸收电子，故称为受主原子。

           7、PN结。采用不同的工艺，将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上，在他们交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性。

           8、PN结的形成。物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由浓度差而产生的运动称为扩散运动。

           9、在电场力作用下，载流子的运动称为漂移运动。

           10 、PN结的伏安特性--->正向特性       反向特性--->反向击穿（当反向电压超过一定数值U后，电流急剧增加）--->齐纳击穿     雪崩击穿

           11、PN结的电容效应。

           12、半导体二极管--->伏安特性    --->温度对二极管伏安特性的影响 --->二极管的主要参数--->最大整流电流--->最高反向工作电压--->反向电流--->最高工作频率

           13、二极管的等效电路--->有伏安特性折线化得到的等效电路--->二极管微变等效电路。

           14、稳压二极管--->稳压管的伏安特性--->稳压管的主要参数--->稳定电压   稳定电流   额定功率   额定功耗    动态电阻     温度系数

           15、发光二极管

           16、光电二极管

           17、双极型晶体管

           18、根据不同的掺杂方式在同一硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成晶体管。--->NPN型    PNP型

           19、晶体管的电流放大作用。--->晶体管内部载流子的运动       晶体管的电流分配关系  

           20、晶体管的主要参数。--->直流参数     交流参数      极限参数

           21、温度对晶体管特性及参数的影响

           22、光电三极管

           23、场效应管（由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管）--->结型场效应管（又分P沟道和N沟道）    绝缘栅型场效应管（又分N沟道增强和耗尽型、P沟道增强和耗尽型）