摘要：
三极管的参数解释△ λ---光谱半宽度△VF---正向压降差△Vz---稳压范围电压增量av---电压温度系数a---温度系数BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路，CE结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压Cib---共基极输入电容Cic---集电结势垒电容Cieo---共发射极开路输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cie---共发射极输入电容Cjo/Cjn---结电容变化Cjo---零偏压结电容Cjv---偏压结电容Cj---结（极 阅读全文
摘要：
http://anlx27.iteye.com/blog/1583089学过模拟电路，但都忘得差不多了。重新学习MOS管相关知识，大多数是整理得来并非原创。如有错误还请多多指点！先上一张图一、 一句话MOS管工作原理NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。二、在使用MOS管设 阅读全文