超大规模集成电路与系统设计 2021年考试

VLSI的期末考试是出了名的难的，网上也找不到之前的试题，分享一下21年考试的题目，有助于大家体会一下考核的难度，督促大家努力复习。另外附上自己的复习笔记，方便大家参考：超大规模集成电路与系统设计 国科大 段成华 - -不负- - 博客园 (cnblogs.com)

 

全英文试卷，不过不用担心看不懂，都是很基础的英语，如果复习的程度还不足以让你看懂题目，那你也不用去考试了。（没必要每个单词都懂，扫一眼给出的图就应该知道要考什么，也可以问老师题目意思，不过老师肯定不会告诉你解题方法的）

 

试卷分为两个部分，第一个部分是十个概念题，每个两分，拿满分几乎不可能，老师是按细节给小分的，所以尽可能多写。第二部分是计算和程序编写，主要考理解。

 

一、概念

物理综合、等效门、电气努力、抽象层次、噪声裕量

强反型层、亚稳定性、设计实体、时间队列（事件）、多米诺逻辑

 

二、简答题

描述Y形图，主要使用抽象层次、描述域等方面进行描述

说明BSIM3*3的短沟道仿真模型，主要使用短沟道的二阶效应描述

 

三、计算题

（1）根据S（每十倍电流降对应的阈值电压降幅）、阈值电压、电流，通过改变阈值电压，求一百万个门的功耗的改变

（2）根据给出的特定W和L的比组成的反相器、与非门、或非门，求他们三个的逻辑努力

四、1、给出W和L及Y写一段HSPICE的nmos的定义程序（求AD、PD、AS、PS），2、给出一段HSPICE程序画对应的电路图、3、画对应的电流曲线

 

五、1、计算传输门链的整体延迟，并指出延时和级数的二次方成正比；2、优化该延时，并计算传播延时，指出优化后的延时和级数的一次方成正比（使用反相器）

 

六、1、用多路开关实现Y=/AB+AB+C的逻辑电路；2、用查找表实现Y=/AB+AB+C的逻辑电路

 

七、给出一个有三个寄存器、两个数据输入、一个时钟、三个输出的较复杂的电路的一些特征参数，求tPD、tCO 、tSU、tCYC、fSYS

 

八、给出单个写，阵发读的存储控制器的状态图，要求1、写出哪个状态的状态转换电路最复杂，说明原因；2、有限状态机的电路图类似于一个移位寄存器，画出和移位寄存器类似的结构的电路；3、用VHDL编写这个存储控制器；4、给出OE、OW对应的真值表要求画出这两个信号的电路图