摘要：
上周在做一个项目时,需要对测试数据实时的保存,以被重新上电后读取.采用了PIC的内部EEPROM,正常读取时没有什么问题.反复上电掉电就出现了EEPROM被清0(改写). 查阅相关资料:EEROM写过程包括两个阶段:先擦除(电压为20V) 再写入(电压18V);EEPROM在写入过程中如果电压不稳定,很容易导致错误.先使用了软件冗余法,同一个data写在连续3个地址,使用时比较,只有2个相同时才使用.这样做,反复上电掉电出错几率小了很多,但是还是会出错.在反复上电100多次时还是出错.另一个解决办法就是使能BOD,写EEPROM时,先检测BOD.网上一位兄弟使用此方法反复上电2000多次才错误 阅读全文
摘要：
//*************************************************************// |-| |-| |-|// | | | | | |// __| |________| |_______|_|_____------PWM1//// |----| |----| |----|// | | | | | |// __| |_____| |____| |_------PWM2//本实验利用PIC单片机的CCP模块功能产生PWM功能,PWM的周期为://(PR2+1)*4TOSC*(TMR2预分频值)//了解CCP模块的CCP1CON寄存器功能,//了解 阅读全文
摘要：
WDT TIMEOUT 的标准时间为１８mSec，但是非常重要的一点，WDT TIMEOUT 的最小值为７～９mSec,而且会受温度的影响并且这个值不是测试值，而是计算值，请不要太相信．若你有使用WDT，建议在５mSec以内Clear WDT较好 注意芯片的LVP(低压编程使能)一定要禁止,如果你确实需要它开,你确认你的硬件有将PGM/RB3接地. 你的电源电压如果偏低就不要将BOD(低电压复位)开启配置位中的DEBUG(调试模试)也必须要禁止 阅读全文