基于stm32，通过更换数据存储扇区提升w25q128flash芯片使用寿命

从芯片手册中可以得到w25q128单个扇区的写入次数约为10万次。项目中有些数据需要经常的进行读写，如果这些数据只是写在一个扇区，那么到达10W次后，可能就会面临使用扇区损坏的风险，我的解决方案就是更换数据的存储位置。

我这次的代码是基于自己项目写的，只有参考价值，不一定符合你的使用要求。

我的需求：

在机器工作过程中，每次动作都会记录一次数据到flash芯片，然后将当前数据的最高地址写入到特定的某个ADDR，供次写入时，读取出来，作为这条数据的起始地址。

这个位置的需要经常的读写，容易损坏，如果损坏了，那么以后历史数据都无法正常写入了。

解决方案：使用若干个相邻的扇区，数据存储到达一定的条数后，更换扇区继续，开机后先判断数据历史数据位置的ADDR在哪个扇区。

判断条数：（最高位地址-起始地址）/每条数据的位数=条数

u32 addr_highest=0x010000;    //写入历史数据最高位的地址的位置


u32 StartAddrToWrite_init(u32 addr_to_read)      //这里将addr_highest传入
{    
    u8 i = 0;    
    u8 sector=1;
    u32 addr;
    u32 start_addr;
    u8 tmp_buffer[4]={0};
    
    
    for(sector=1;sector<4;sector++)  //从第一个扇区开始，读取每个扇区
    {
         W25QXX_Read(tmp_buffer, addr_to_read, sizeof(tmp_buffer));  //读取addr_to_read这个位置存的值，如果从来没写入过，是FFFFFFFF,写入过就是这个扇区保存的的最高地址
        addr=((tmp_buffer[0]<<24)&0xFF000000)+((tmp_buffer[1]<<16)&0x00FF0000)
                    +((tmp_buffer[2]<<8)&0x0000FF00)+(tmp_buffer[3]&0x000000FF);
        if(addr==0XFFFFFFFF)      //没写过
        {
            if(sector==1)     //第一次
            {
                start_addr=BASEADDRESS;    //历史数据写入开始地址是自己设置的BASEADDRESS
            }
            else
            {
                start_addr=ReadStartAddrToWrite(addr_to_read-0x001000);  //读取上个扇区保存的地址的值，每个扇区相差0x001000位
            }
            UpdateHighestDataAddr(start_addr,addr_to_read);     //赋值给后一个扇区
            break;        
        }
        else             //如果写过了
        {
            addr = ReadStartAddrToWrite(addr_to_read);  //读取最高位地址
            if((addr-BASEADDRESS)/(32*10)>=sector)      //判断条数（一条32个字节），测试是使用10条，大于本扇区设定能存的最大条数
            {
                addr_to_read+=0x001000;     //换到下个扇区继续读取，判断
            }
            else              //没有超过本扇区最大能存的条数，继续在本扇区使用，跳出for()循环
            {
                addr_to_read=addr_to_read;
                break;
            }        
        }
    }    

    return (addr_to_read);
} 

 

 

大概的思路就是这样，如果你直接复制，因为里面嵌套了别的函数，那肯定不能用的了。