【笔记】模电--lesson04 晶体管

1. 集电区：面积大；

2. 晶体管的放大原理
   1）放大的条件：发射结正偏，uBE>Uon;集电结反偏，uCB>=0,即uCE>=uBE.
   2)因发射区多子浓度高，使大量电子从发射区扩散到基区；因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合；因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩撒到

    基区的电子漂移到集电区。
   3）电流分配：IE=IB+IC
     IE--扩散运动形成的电流；
     IB--复合运动形成的电流；
     IC--漂移运动形成的电流；

     直流电流放大系数：
     交流电流放大系数：β=△iC / △iB;
     穿透电流：

3.晶体管的共射输入特性和输出特性
  1）输入特性
  2）输出特性
  3）晶体管的三个工作区域
  4）温度对晶体管特性的影响
  5）主要参数