如何在Qsys 中定制Nand_Flash软核（学习）
摘要：
一、Nand_Flash工作原理 Nand flash芯片型号为Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为64MB,采用块页式存储管理。8个I/O引脚充当数据、地址、命令的复用端口。 芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为: 1 (Device) = 4096 (Blocks) 1 (Block) -= 32 (Pages/Rows) 页与行是相同的意思,叫法不一样 1 (Page) = 528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes) 在每一页中,最后16个字节(又称. 阅读全文
posted @ 2012-07-26 11:22 haitao2000s 阅读(565) 评论(0) 推荐(0) 编辑
