摘要：
Hf0.5Zr0.5O2 的结构与 HfO2 类似，Zr 原子替换原胞中的两个 Hf 原子。 o-HfO2 的晶格结构和对称性 Hf0.5Zr0.5O2 有以下三种结构 相关文件 o-HfO2 POSCAR HfO2 1.0 5.2579483986 0.0000000000 0.000000000 阅读全文
摘要：
本文中，我们主要计算 HfO2 这种铁电材料的极化，给出具体的计算细节。 HfO2 是一种高介电常数 (high k) 和宽带隙材料，由于它最可能替代硅基集成电路的核心器件 金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 的栅极绝缘层 SiO2 ，可有效减小栅极的漏电， 而且它与现有 CMOS 工艺兼容 阅读全文