文章分类 - Ferroelectricity
摘要:本文中,我们主要计算 HfO2 这种铁电材料的极化,给出具体的计算细节。 HfO2 是一种高介电常数 (high k) 和宽带隙材料,由于它最可能替代硅基集成电路的核心器件 金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 的栅极绝缘层 SiO2 ,可有效减小栅极的漏电, 而且它与现有 CMOS 工艺兼容
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摘要:铁电材料是一类特殊的电介质材料,存在可随电场翻转的自发极化,微观上通常会形成铁电畴结构 (自发极化方向相同的区域)。铁电性的结构根源来自非中心对称的极性点群,其出现总是伴随着从一个中心对称的空间群向其非中心对称的极性子群转变的铁电相变,宏观性能上表现出极化强度或电位移与电场强度间的强烈非线性-电滞回
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摘要:本文主要计算经典的铁电材料 BaTiO3 的极化强度。 BaTiO3 是钙钛矿结构,它的铁电相结构和中心对称结构如图所示,属于四方晶系。 该铁电材料是沿着 c 方向极化,主要是 O 离子和 Ti 离子的移动的贡献。 例如,上图中的左边铁电相极化方向朝下,右边铁电相极化方向朝上。 极化强度详细计算步骤
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