DRAM几个关键的参数
1、tRCD
Active to Read/Write command delay; RCD 为 Row Command Delay的缩写,描述的是一个Row被Active之后,数据从DRAM cell到Sense Amp的时间。
2、tCAS
the delay time between the moment a memory controller tells the memory module to access a particular memory column on a memory module, and the moment the data from given array location is available on the module’s output pin.
注意,SDRAM中,CAS的单位是时钟周期,所以对于同一个SDRAM,时钟速率变化时,CAS的值也可能变化
3、tRAS
定义为Active to Precharge Command Period,ACT命令之后,某个Bank在进行Precharge或者Close的操作前,必须保持至少是tRAS的时间是Open。
tRAS = tRCD + CAS Latency,所以tRAS又可以理解为,ACT之后,第一个data出现的时间。
4、tRP
Precharge Command Period
5、tRC
Row Cycle Time in the same bank
详细定义如下:The minimum time interval between successive ACTIVE commands to the same bank is defined by tRC.
6、tRRD
ACTIVE bank a to ACTIVE bank b time interval
不同Bank之间ACT的时间间隔
posted on 2012-07-11 17:59 freshair_cn 阅读(2631) 评论(0) 编辑 收藏 举报