CMOS与TTL的一些简单区别以及一些注意事项

一、注意事项

1、CMOS

(1)CMOS的锁定效应。若输入电流过大，会引起内部电流激增并持续增大，事实上，锁定效应可使其内部电流高达40mA，从而烧毁芯片。预防措施：输入端加钳位二极管，实际上大部分CMOS集成块内部会有两个二极管把电位钳在电压输入值，这是静电保护措施的一部分；电源去耦，防止过击；电源输入端加限流电阻。

(2)若系统由几个电源供电，开启时，先启动CMOS电路电源，然后是输入和负载的电源；关闭时，先关闭输入和负载的电源，然后是CMOS的电源。

(3)CMOS输入电流超过1mA即有可能烧坏，因此，当输入接低内阻信号源时，需串限流电阻；输入端接大电容时，应在应在输入点和电容之间接保护电阻，阻值R=V/1mA。

2、TTL

若输入端串接电阻，电阻值应小于910 ohm，如此，输入时低电平时才可能被辩认出来，电阻值过大会使端口处呈现高电平。

二、比较

1、输入悬空。

TTL门电路的输入脚悬空时，相当于逻辑“1”，CMOS门电路输入脚不可悬空，否则会引起逻辑混乱。

原因：TLL门电路输入悬空时，相当于在输入端接了一个阻值很大的电阻，存在即使很小的电流也等效于在输入端有一个高电平；CMOS输入脚悬空时，阻值也很大，这样一来，假如在输入端有静电积累，Gate极电压很容易超过阈值电压，输出逻辑“1”或“0”。(CMOS circuits’s) … inputs are, however, senstive to high voltages generated by electrostatic sources, and may even be activated into “high” or “low” states by spurious voltage source if left floating.

2、驱动类型。

TTL是电流驱动型器件，CMOS是电压驱动型器件。

3、速度与功耗。

TTL翻转速度快，延迟约为5～10ns，功耗大；CMOS翻转慢，延迟约为25～50ns，功耗小。