文章分类 - CMOS模拟集成电路学习笔记
参考书籍《拉扎维-CMOS模拟集成电路设计》以及中科大相关课程课件
摘要:CMOS模拟集成电路笔记 | 第六部分 | Chapter 9-10 此为本系列笔记最后一部分,因为课本中的细节过多,作者能⼒有限,只能简要得写出⼀部分较为重要的内容供读者参考 第九章 运算放大器 9.1 概述 三要素法(对应例题9.2) 如下图:已知,求输
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摘要:CMOS模拟集成电路笔记 | 第五部分 | Chapter 8 第八章 反馈 8.1 概述 传输函数: $$ \frac{Y(s)}{X(s)}=\frac{H\left( s \right)}{1+G\left( s \right) H\left( s \right)} \ \text{其中H}\
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摘要:CMOS模拟集成电路笔记 | 第四部分 | Chapter 7 第七章 噪声 7.1 噪声的统计特性 平均“电压功率”概念
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摘要:CMOS模拟集成电路笔记 | 第三部分 | Chapter 5-6 第五章 电流镜与偏置技术 5.1 基本电流镜 电路图 尺寸问题 电流镜中的所有晶体管通常采用相同的栅长 (因为沟道长度加倍,实际长度
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摘要:CMOS模拟集成电路笔记 | 第二部分 | Chapter 4 第四章 差动放大器 4.1 单端和差动的工作方式 差动工作相比单端工作的优势: 对环境噪声具有更强的抗干扰能力 小信号取差值可以消除大信号(时钟跃变)带来的干扰 更大的输出摆幅 4.2 基本差动对 4.2.1 定性分析 基本差动对 差动
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摘要:CMOS模拟集成电路笔记 | 第一部分 | Chapter 1-3 本系列笔记是参考书籍《CMOS模拟集成电路》和中科大相关课程课件而做成,笔记第一版为手写版,现在在手写版的基础上重新编写第二版(markdown格式)。 第一章(略) 第二章 MOS器件物理基础 1. MOSFET 的结构(以NMO
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