SSD知识-术语速查：SSD与NVMe核心术语

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一、常用英文术语

SSD：Solid State Disk、固态硬盘 YMTC：长江存储（国内唯一可生产Nand颗粒的） FW：Firmware、固件（运行在硬件内部的软件，本质是一些算法） FTL：Flash Translation Layer、闪存转换层 完成主机逻辑地址空间到闪存物理空间的转换 NAND Flash：非易失性存储介质，读取快、写入快，适合存储大量数据（用户数据） NOR Flash：非易失性存储介质，读取更快、写入慢 作用：适合存 储少量关键数据（FW、config） Controller：主控，控制中心 DDR、Double Data Rate SDRAM：双倍数据率同步动态随机存取存储器，高速缓存 RDT：Reliability Demonstration Test、可靠性验证（检测缺陷（坏块、硬件故障） 作用：筛选坏块，生成坏块表（bb、bad block） 公司内部：aging_erase（一轮擦盘），aging_offline（多轮擦写读）	IT：Information Technology、信息技术，比如软件 IC：Integrated Circuit、集成电路， 比如芯片-chip【/tʃɪp/】 PCI-SIG：负责制定和维护PCI（外设组件互连）标准的国际组织 VID、Vendor ID：PCIe产品的身份标识（标记PCIe产品厂商） DID、Device ID：标记不同的产品 RID、Revision ID：驱动版本　　 版卡：PCB板、印制电路板 SSVID、SVID：标记板卡厂商 IEEE：电气电子工程师学会 OUI：组织唯一标识符，标识不同的硬件制造商 实际内容：MAC地址的前24位 SMBus/I2C：低速总线，常用于管理任务（控制、监控等） PCIe：高速总线，常用于数据传输
ECC：Error Checking and Correcting、错误检查和纠正 常用纠错算法：LDPC算法、RAID5 UECC：Uncorrectable Error Code、不可纠正的错误校验码、读错误 读错误：读取时遇到无法通过ECC修复的数据错误 TT：Thermal Throttling、热节流模式 过程：高温下设备开始主动降低性能、直到锁盘（无法读写） LTT：low temperature test、低温测试 HTT：high temperature test、高温测试 NTT：normal temperature test、常温测试 FT：Fixed Temperature、恒定温度 EOL：End of life、设备生命末期 过程：PE Cycle数达到设定值、仅支持有限的功能（例如read only） crosstemp：交叉温度（温循：高低温循环变化）	SPEC：Specification、产品设计规格书 作用：确定产品应该满足的所有要求和特性 SOP：Standard Operating Procedure、标准操作流程 workround：解决方案/应对方法 作用：优化速度、延长寿命、兼容性、数据安全 HSC：Hot Swap Controller、对盘进行异常掉电和正常掉电（SPOR/POR）测试 SPOR：Sudden Power Off Recovery，异常掉电恢复 POR：Power off Recovery、断电恢复 Bring Up：将新设计的芯片从首次上电到最终稳定运行的整个过程 Host io timeout：主机系统等待SSD响应I/O操作的最长时间超过阈配置的阈值
EC TABLE：Error Correction Table、记录每个存储单元的错误校正信息 作用：帮助在数据读取时进行错误检测和纠正 Wear Leveling Table：记录 NAND 块的擦除次数，用于磨损均衡 BB Table：Bad Block Table、坏块表、管理和记录 NAND 闪存中的坏块信息 EM ：Error Manage、错误管理（错误检测和纠正、磨损均衡、坏块管理等） BBM：Bad Block Manage、坏块管理 包括功能：坏块识别、数据映射、磨损均衡、错误检测和纠正、垃圾回收 GC：Garbage Collection、垃圾回收（为了得到新的空闲块） BLK_GC_RETENTION：GC过程中保留的有效数据块的比例 作用：影响GC效率和SSD性能 L2P：Logic address to physical address mapping table、逻辑地址映射到物理地址 逻辑地址：主机访问的地址 物理地址：闪存中的地址 LBA：Logical Block、逻辑块、大小通常是512Byte或4KB PBA：Physical Block、物理块、大小为几百KB到几MB	Free Block：空闲块、已经被擦除且可以立即接受新数据写入的存储块 VTC：Valid Transaction Count、记录每个块中有效数据的数量 PI：Protection Information 作用：通过在用户数据之外添加元数据来检测和防止数据损坏 VT：Voltage Threshold、阈值电压 定义：在控制极施加大于阈值电压的电压，晶体管导通 Vth ：Threshold Voltage、阈值电压 VT Distribution：阈值电压分布 作用：描述存储单元在不同编程状态下VT的统计分布 VT Offset：阈值电压偏移，是问题（物理现象） 介绍：产生读错误（UECC）的根本物理原因之一 RRT：Read Retry Table、读取重试表，是解决方案，会动态更新 作用：通过动态调整读取电压来读取到正确的数据 VT Scan：SSD控制器系统性地扫描NAND单元的阈值电压分布 作用：为RRT提供调整依据
SSD寿命=(闪存P/E × SSD闪存容量)÷(写入放大系数 × 年数据写入量GB)=X 年 WA：Write AmpIification、写放大（搬移数据会造成额外的写） PE：Program/Erase Count、编程/擦除次数 （全盘写满再清空，记作1次PE） EC：Erase Count擦除次数 S.M.A.R.T：自我监测、分析及报告技术（获取硬盘信息） OP：Over Provisioning、预留空间 OP作用：存储映射表、垃圾回收的交换空间、坏块替代空间、纠错码	DWPD：Drive Writes Per Day、在保质期内、用户每天可以把盘写满多少次 TBW：Terabytes Written、在SSD的生命周期内可以写入的总的字节数 UBER：UncorrectableBitErrorRate、不可修复的错误比特率（出现数据错误的概率） RBER：RawBitErrorRate、原始错误比特率（闪存质量决定、会随着寿命增加而变大） MTBF：MeanTimeBetweenFailure、平均故障间隔时间。（产品无故障连续运行时间） Latency：时延、响应时间、命令从发出到收到状态回复所需要的响应时间 默认模式是cache on：数据写入到SSD缓存即返回命令状态

 

二、常用中文术语

热修复：不停止或重启软件、系统或服务的情况下，对软件中的错误进行修复 流片：将设计好的方案交给芯片制造厂生产出样品，检测是否满足要求 流片方式-Full Mask：全掩膜、全部掩膜都为某个设计服务 流片方式-MPW：多项目晶圆、将多个集成电路设计放在同一晶圆片上流片 mp：Mass Production、量产 br：bootrom、负责上电后进行最底层的硬件初始化 bl：bootloader、运行在bootrom之后，完成更高阶的硬件初始化和操作系统的加载 半导体：常温下导电性能介于导体（金属）与绝缘体（陶瓷）之间的材料 作用：半导体的电导率范围很广，可根据需求改变电导率（精确实现开和关，对应0和1） 常见半导体：硅(guī)、锗(zhě)、砷化镓(jiā) 电子元器件：制造或组装电子整机用的基本的零件 常见电子元器件：电阻、电容、电感、二极管等 电阻：通常用字母R表示，单位是欧姆（Ω），常用于控制电流和保护电路 电容：处理和稳定电压，储能【能直接存储电能】 电感：整理信号、除去干扰，通过磁场存储能量 芯片：包含集成电路的硅片，用于运算、处理任务的 集成电路：将各种电子元器件相互连接起来组合成具有特定功能的电路 PCB板：印制电路板\印刷电路板，用于支撑和连接各种电子元器件 电路板：circuit board 基板：具有更高性能或特殊功能的PCB板 嵌入式软件：需要把软件写入硬件中，配合硬件一起使用 嵌入式：用软件来控制硬件从而实现特定的功能，比如固件、驱动、bios等 嵌入式系统：为特定应用而设计的专用计算机系统，需要把软件刻录在硬件里 举例：空调、冰箱、路由器等	封装：给芯片做个壳，保护起来 测试：检验是否合格（功能和性能）  裸盘：本身不自带文件系统，不对数据进行格式化，只存储二进制 电路：电流流过的回路 为什么要回路：电荷需要持续移动，才能产生持续电流 单手触碰正极或负极，人体与大地绝缘：没有回路，通常不会触电 双手同时触碰正负极：会形成电流回路，导致触电 电流强度：每秒钟通过导线截面的电荷量，单位A，安倍 电流：对身体会造成伤害的实际是流过的电流 电流方向：规定是从正极到负极，实际移动的电子是从负到正 电子被高电压吸引，从负极流向正极，正极是高电压 电压：两点间的电位差，默认是相对于地面、地面电压规定为0 电压：衡量的是两点之间的电势差值（正极与负极之间的电势差） 电压：推动电流的“动力源”，决定能否克服电阻形成回路 火线：对地电压为220V，L，红、黄、绿 零线：对地电压理论为0V，实际可能带电，N，蓝色、黑色 电子：真实存在的微观基本粒子（带负电），构成原子的基本成分 电荷：电子的固有物理属性，电子带有负电荷
芯片制造过程 IC设计：逻辑、电路、图形设计 芯片制造：晶圆制作、涂膜、显影、蚀刻、离子注入等 芯片封装：减薄、划片、贴片、模塑、切筋/成型等 芯片测试：晶圆级测试、成品测试、系统级测试 模组级应用：Layout布局布线、PCB打样、调试、测试等 OEM整机制造：手机、PC、可穿戴设备、汽车、安防等 IDM、垂直整合制造：设计、制造、封装测试、模组、整机 IDM厂商：能够自主完成设计、制造、封装测试和销售的企业 Fabless厂商：无晶圆制造的设计公司、专注于芯片设计（兆易创新） Foundry公司：晶圆代工厂，只负责芯片制造（江波龙） OEM：原始设备制造商、承接代工任务的制造商 OSAT：第三方封测提供商、专门从事半导体封装和测试的企业 模组：以芯片为核心进行开发，最终目的是嵌入到产品内部，成为执行特定功能的模块	块存储：使用裸盘存储原始的二进制数据（系统只能看到逻辑块地址） 文件存储：带有文件系统，会对数据进行格式化，以文件形式进行访问 对象存储：把数据打包成对象，放入大池子中，通过HTTP来存取。 对象组成：数据+元数据+唯一ID 访问：每个对象有唯一URL DAS：Direct Attached Storage、直接连接存储 定义：存储设备直接连接服务器 SAN：Storage Area Network、存储区域网络 定义：使用一个专用网络连接存储设备和服务器 NAS：Network Attached Storage、网络连接存储 定义：存储设备连接到网络，通过网络提供文件共享的服务
时序数据：随时间不断产生的一系列数据，简单来说，就是带时间戳的数据 宽温：工作温度范围很宽（-40℃~85℃） 冷数据：很少访问的数据，存储性能要求低 温数据：偶尔访问的数据 热数据：频繁访问的数据，存储性能要求低高	驱动：让系统能够识别并使用硬件的程序 强制性产品认证：CCC、CE+RoHS、UL+FCC 带宽、传输速率：链路每秒能传输的比特数（理论情况） 吞吐量：链路中实际每秒所能传送的比特数（实际情况）
十六进制（即，基数 16）数字以小写“h”后缀表示：0FFFh 二进制（即，基数 2）数字以小写字母“b”作为后缀：0010b 十进制 （即，基数 10）数字不带任何后缀：175