摘要：
1、存储扩展得概念及类型 存储扩展分为位扩展、字扩展、字位扩展 无论哪种类型得存储扩展都要完成CPU与主存间地址线、数据线、控制线的连接 阅读全文
摘要：
1、SRAM存储单元的不足 晶体管过多 存储密度低 功耗大 2、DRAM存储单元的基本结构 解决SRAM不足采取的方法： 去掉两个负载管T3、T4 提升存储密度 降低功耗 降低成本 利用栅极分布电容缓冲电荷 增加电路协同存储单元工作 3、DRAM存储单元的工作原理 写操作 Y地址选通 T7、T8管导 阅读全文
摘要：
1、SRAM存储单元结构 工作管：T1、T2(保存数据） 负载管：T3、T4（补充电荷） 门控管：T5、T6、T7、T8（开关作用） 2、SRAM存储单元工作原理 X地址选通（行选通） T5、T6管导通 A点与位线相连（B点也一样） Y地址选通（列选通） T7、T8管导通 A点电位输出到I/O端（B 阅读全文