摘要： 1.RC电路 另一种更加直观的方法： 初始电压：V0 稳态响应：经过一段很长时间后，电容相当于开路，两端电压就就是VI 电路具有 1 - e -t/RC 的形式。 所以 得到 Vc=V0 + (VI -V0) (1 - e-t/RC)2.计算数字电路延迟 上升延迟：到达Voh的时间将Voh代入方程，求解下降延迟：电路模型，戴维南等效，电阻等于负载电阻和导通电阻并联 3.引脚近的时候， 阅读全文

摘要： 1.反相器延迟：由于电路引入的一种特殊元件导致---电容的存在 半导体产业的一大部分以及后续课程和设计都致力于如何减小延迟2.MOS管中的电容 栅极加正电压时， 氧化物层两侧聚集电荷，一方面形成导电沟道，一方面形成了电容 模型：在栅源间加电容 CGS3.电容 集总规定：任意时刻元件内部dq/dt为零 但如果把电容两个极板包块在元件边界内，任意时刻净电荷都为零，因此它是满足LMD的 q = CV ,微分得到 I= CdV/dt (不考虑时变电容) E= 1/2 CV2 电容可以储存电荷4. RC电路：节点分析法得到: RC (dVc/dt) + Vc = VI, RC 称作时间常数 再加初始电压 阅读全文

摘要： 1. vo= - RK（VI-VT）vi = -Rgmvi= Avi 选择偏置点：1.增益:VI越大，增益越大。当输入电压增加，沿负载线上升 2.摆幅： 在有效范围内。当输入电压增加，摆幅变大2.等效电路： 因为小信号模型天然是等效的，我们只需要把大信号模型做线性等效 KCL和KVL都包含了电路的拓扑结构，KVL代表回路，KCL代表了节点的连接方式 可以证明：小信号也同样满足KCL，KVL 由于KCL，KVL代表了拓扑结构，因此我们可以找到这种拓扑结构，做等效替换，变成一个线性电路 对vgs求导，得到 iDS= - K（VGD-VT）Vgs 因此小信号模型可以等效成一个线性受控... 阅读全文

摘要： 1.大信号分析 a Vo VS Vi b. 计算有效区域，及各个参数的相应范围2.小信号分析： 目标是建立线性放大器 第一步： 选偏置点 第二步：叠加小信号 第三步：response 信号的放大是线性的3.为了提高放大倍数，可以实现多级放大 多级放大时，前一级的偏置点会影响到第二级，因此需要采取措施隔离4.小信号模型 vI = VI （直流分量) + vi (增量) vO= Vo（直流分量)+ vo(增量)将vI带入输入输出方程，因为增量远远小于VI,因此可以忽略掉vi高次项 可以得到：vo = - RK（VI-VT）vi = -Rgmvi = Avi A 就是增益，与RL，（VI-VT）.. 阅读全文

摘要： 分析如何使MOSFET处于饱和状态 大信号分析 A: 第一步：在饱和规定下，写下传递函数 Vo - Vi 第二步：找出有效的输入范围（也得到相应的输出范围） 两个Vo-Vi方程： 传递函数曲线 约束方程： Vo> Vi - VT; Vi > VT 图解法：约束方程限定了范围， 解出该范围与传递函数曲线的交界点 (为什么需要图解法：实际上，我们不会得到MOSFET的方程，而是datasheet) B: 也可以通过负载线图： 基于输出特性曲线和负载线， 求出负载线与放大区的两个交界怎样限定输入范围？ 加正确直流偏置，不能更高，也不能更低。 阅读全文

摘要： 1.MOSFET模型a. S-R模型： 1） 当VGS小于阈值时，源漏之间看做开路 2）当VGS大于等于阈值时，短路，或者看做是电阻 当VGS 在阈值两侧切换，漏源间电路会表现为： 开路--电阻---开路---电阻........b. 但实际上，MOSFET非常复杂，实验中观察漏源间电流。可以看到： 在a 2)情形下：如果VDS 继续增加，会发现Ids 恒定，不再增加，达到饱和 第二种模型 SCS模型: 开关电流源模型 但VDS在超过某点后，IDS饱和，表现为电流源: 当VDS>VGS-VT此时 iDS= （k/2）(VGS-VT)2 （饱和方程）。iDS是由VGS确定的，不管VDS再加 阅读全文

摘要： 1.why need amplify? 模拟领域：大信号更不容易被噪声干扰 模拟/数字领域：放大信号便于后续处理，如数字化。例如手机内置的放大器 LNA --- low noise amplifier。 数字领域：数字电路应满足输入输出的静态规则 最小放大倍数 = (Voh- Vol) / (Vih - Vil)2.四种受控源 压控/流控 电流源/电压源3.压控电流源 例子 当 ΔVo/ΔVi > 1, 相当于放大器 阅读全文

摘要： 1.非线性电路的一个子集：小信号模型 在限定输入下 ，也可以进入线性分析领域2.正弦信号的输入，传递函数是指数关系，则输出会严重失真 how？ Zen （禅宗） ： 只注重传递函数的某一部分，它可以看作是线性的 怎么利用这一线性部分呢在输入信号上加直流偏置 DC offset，同时将它缩小，使其落在线性区域 技巧： 抬升———缩小------小信号的变化----得到线性响应 。。。。。。。。。。！！！！！！！！！！！！！！！！顿悟的时刻3.小信号分析法： a. 加偏置 VD,ID b. 叠加小信号 Vd， 远小于VD c. 得到输出 iD = ID + id id也可以表示成ΔID,看作ID. 阅读全文

摘要： 1.符合集总规定的电路： 使用KVL,KVL,节点分析，电阻合并 其中有一部分属于线性电路 方法：叠加法，戴维南，诺顿另有一部分属于非线性电路注：数字电路天生属于非线性电路，但对于给定的开关状态，电路就进入了线性领域2. 分析非线性电路的方法：解析法，图解法，分段线性法，增量分析（小信号分析） 首先需要将线性部分戴维南等效3.解析法： 列节点方程，求解4.图解法： 画函数曲线，求交点 两条线：负载线，伏安曲线5.增量分析,也叫小信号分析 非线性失真：学会根据v-t，和v-i曲线画 i-t 曲线 思考：假设只有非线性元件，怎么能得到线性关系呢？ 阅读全文

摘要： 1.组合门：输出只和输入有关，是各个瞬时输入的函数 目前芯片会含有百万千万数量级的门电路2.how to build a gate? 类比：串联电路和并联电路的开关可以看做与门，或门 开关： 开关电路:三端装置：in， out, control 如果control=0，开路；control=1,短路 开关电路的组合就可以构成各种门3.三段装置场效应管 MOSFET模型 三端： 栅极G，漏极D，源极S栅源电压为Vgs, 漏源电压为Vds栅极电流为ig, Ig = 0 Vgs类似于控制端，当它大于某个阈值Vt，漏源短路，Ids有，当它小于某个阈值Vt，漏源开路，Ids无 阅读全文