SDRAM 和 NAND FLASH

SDRAM

1 SDRAM逻辑原理图

　　其存储结构的逻辑图，如下图所示。

              

　　与表格的检索原理一样，先指定一个行（Row）然后再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是SDRAM寻址的基本原理 。这个单元格被称为存储单元，而这个表格就是逻辑Bank（Logical Bank），SDRAM一般含有4个L-Bank。

　　任何一款SDRAM都需要注意它的一些信息，如位宽、列/行地址、刷新周期、以及Bank地址。其中，位宽是从原理图中可以得到，而 列/行地址、刷新周期 以及bank地址则是从芯片的数据手册中得到。

　　SDRAM：在计算其地址空间时，即地址大小时，并不能看数据线的位数。例如一个SDRAM芯片它只有13根地址线，2的13次方8K，每个地址对应4字节的话，也就只有32K。而芯片手册上通常都会比这个大，这是因为还有两根线，行地址(nSRAS)，列地址(nSCAS)。另外，还有LnWBE0,LnWBE1，表示对应字节的写使能，意思就是如果SDRAM芯片是16位，但现在只想写低8位，那么此时我们就可以只拉低LnWBE1，这样高字节部分写使能消失。如果没有这两个引脚的话，那只能先读16位，然后修改，再回写进SDRAM。

2 S3C2440 与 SDRAM

　　连接

　　通常可以看到，在原理图中，如果SDRAM是32位（可能是由两个SDRAM合起来）的，那么S3C2440的A0/A1并不与SDRAM连接，而是从A2开始连接的，这是因为SDRAM是32位的，4个bytes。那么S3C2440发出地址即可以得到4个字节，而S3C2440是按字节寻址的，所以需要低2位来划分这4个字节并取出需要的字节。

　　另外通常S3C2440的BANK6~BANK7比较特别，因为只有它们可以连接SDRAM，具体可以参看相关数据手册。

　　访问

　　通常处理器外围会连接一系列存储的设备，如SDRAM\DM9000，那么如何访问这些芯片呢。就是CPU通过存储管理器实现。例如CPU需要读0x30000000读4字节数据。那么CPU只需要执行下列汇编指令即可：mov r1, #0x30000000; ldr r0, [r1]。由存储管理器，根据配置信息得知0x30000000是对应内存SDRAM的地址，所以需要有SDRAM的时序，如1发出片选信号，2bank选择信号，3列地址，4行地址。这4步都是由存储管理器实现。

3 其它

　　内存分为SRAM\SDRAM\DDR。

　　（1）SRAM速度快，但成本高，使用方法简单，直接发地址，然后读写。

　　（2）SDRAM则是成本低，但访问方法复杂，地址还分为列地址、行地址而且需要不断地刷新它。另外DDR，是指传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输。

　　（3）DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。

　　网卡、NORFLASH的接口与SRAM一样，术语上称为ram-like。所以，如果需要接NORFLASH或者网卡，则可以直接接在bank0~bank5，而如果是SDRAM，则应该挂接在BANK6-7。

Nand Flash

1 分类

　　通常可以分为大页nand flash 和小页nand flash，其中大页是指一页有2K字节，而小页只有512字节。64页组成一块。

2 地址空间

　　NandFlash编址：1页大小实际上是2048+64（OOB）。64在多数情况下是不参与编址的。而是做为冗余检测所用。

　　由于nand flash是独立编址，所以大多数的时候，读写nand flash它是要先领先连接线，发命令、发地址、发数据，并不能直接寻址到相应的位置（不像SDRAM一样）。

总结寻址方式至少分为两种

1 SDRAM、DM9000它们的芯片上都有地址信号线

2 NandFlash的芯片上是没有地址信号线的

　　诸如1类的存储器芯片（可以包括SDRAM\DM9000\SRAM\寄存器），它们用的地址都是CPU可以看见的，是CPU发出来的。即CPU统一编址。

　　但诸如2类的CPU连接的NandFlash，那么显然它也是自己的独立的地址空间。所以它们是通过发送地址、命令、数据等信号。