NOR FLASH和NAND FLASH的比较
比较项目 | NOR | NAND | 提供者 |
发明者 | 舛冈富士雄（1984于东芝公司） | Madingsky | |
商业应用厂商 | 英特尔（1988） | 东芝（1989） | Madingsky |
原理示意图 | Madingsky | ||
特点 | 芯片内执行 传输效率很高 写入和擦除速度很低 | 极高的单元密度 写入和擦除速度很快 | Madingsky |
擦除 | 擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s | 擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms | Madingsky |
性能 | NOR的读速度比NAND稍快一些； NAND的写入速度比NOR快很多； NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快； 大多数写入操作需要先进行擦除操作； NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少； | Madingsky | |
接口 | NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 | NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 | Madingsky |
尺寸 | 1 | 1/2 | Madingsky |
应用 | NOR主要应用在代码存储介质中 | NAND适合于数据存储 | Madingsky |
耐用性 | NOR的擦写次数是十万次 | NAND的擦写次数是一百万次 | Madingsky |
位交换 | NAND发生的次数要比NOR多 | ||
软件支持 | NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持 | NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，即MTD | Madingsky |
NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD | Madingsky | ||
*期待恢复，共同完善。 | |||
