SDRAM小结

一、读写操作：

（一）块使能

                相应的块和行地址一定要通过ACT激活，在ACT命令和下一个读写命令必须有tRCD间隔。

（二）读操作

                读命令设置之后，输出缓冲器变成了low_Z。SDRAM能执行组读出操作。

                组长度可以设为1,2,4和8.开始的组读出地址由列地址和块地址在读命令设置时说明。数据在延迟CAS后输出。

                在数据成功读出后，输出缓冲器变成high_Z.

                CAS延迟和组长度在模式寄存器中设置。

（三）写操作

                组写入：组写入通过设置OPCODE为0来使能。组写入在写命令设置的时候同时开始。写开始地址在写命令设置的同时由列地址和块地址说明。

                单个写：三个写操作通过设置OPCODE为1来使能。

（四）自动充电

                读时自动预先充电：在这个操作中，预先充电在完成一个读操作后自动执行，所以预先充电命令不需要在读操作后执行。这个命令必须在ACT后面执行。下一个ACT命令延迟tRP后再执行。

（五）写时自动预先充电：。。。

（六）块停止命令

                在读周期时：块停止命令到达后，再经过延迟时间CAS后，读数据才终止，数据总线变成high_Z;

                在写周期时，块停止命令到达后，写数据立即停止，数据总线变成high_Z;

二、命令间隔：

（一）读命令到读命令间隔

                1、相同块，相同行地址：第二个读命令和前一个读命令的间隔不能少于一个clock。即使第一个组读的数据还没结束，第二个命令也有效。

                2、相同块，不同行地址：连续的读命令不能被执行，必须用预先充电命令和ACT命令将两个读命令分开。

                3、不同块：当块改变（就是说设置了ACT命令），第二个读和第一个读之间的间隔必须不少于一个clock。

（二）写命令到写命令间隔

                1、相同块，相同行地址：第二个写命令和前一个写命令的间隔不能少于一个clock。即使第一个组读的数据还没结束，第二个命令也有效。

                2、相同块，不同行地址：连续的写命令不能被执行，必须用预先充电命令和ACT命令将两个写命令分开。      

                3、不同块：当块改变（就是说设置了ACT命令），第二个写和第一个写之间的间隔必须不少于一个clock。

（三）读命令到写命令的间隔：

                1、相同块，相同行：写命令和读命令之间的间隔不能少于一个clock，DQMU和DQML必须设为高，这样输出缓冲器在数据输出前变成High_Z（高阻时，数据不能输出，但不影响数据输入）。

                2、相同块，不同行：连续的写命令不能被执行，必须用预先充电命令和ACT命令将两个命令分开。      

                3、不同块：当块改变（就是说设置了ACT命令），第二个写和第一个读之间的间隔必须不少于一个clock。DQMU和DQML必须设为高，这样在数据输入前输出缓冲器就变成了High_Z;

（四）写命令到读命令的间隔：

                1、相同块，相同行：读命令和写命令之间的间隔不能少于一个clock，组写数据持续写直到读开始执行的前一个周期。

                 2、相同块，不同行：连续的读命令不能被执行，必须用预先充电命令和ACT命令将两个命令分开。      

                3、不同块：当块改变（就是说设置了ACT命令），第二个读和第一个写之间的间隔必须不少于一个clock。组写数据持续写直到读开始执行的前一个周期。

（五）自动预充电的读命令到读命令的间隔：

                1、不同块：当某些块在活动状态，第二个读命令能执行，并且具有优先级。内部的自动预充电在第二个命令执行时开始。

                2、相同块：连续的读命令不允许。

（六）自动预充电的写命令到写命令的间隔： 

                1、不同块：当某些块在活动状态，第二个写命令能执行，并且具有优先级。内部的自动预充电在第二个命令执行时的下一个周期开始。

                2、相同块：连续的写命令不允许。        

（七）自动预充电的读到写命令的间隔：

                1、不同块：当某些块在活动状态，第二个写命令能执行。但DQMU和DQML必须设置为高，这样输出缓冲在数据输入前变成了High_Z.内部的自动预充电在第二个命令执行时开始。   

                2、相同的块：连续的带自动预充电的读到写命令是非法的，必须用ACT来分离他们。

（八）自动预充电的写到读命令间隔：

                1、不同的块：当某些块处于活动状态，第二个读命令可以执行。假如是组写，数据一直写直到读命令执行前的一个时钟周期。内部自动预充电在第二个命令的下一个clock开始。

                2、相同的块：连续的带自动预充电的写到读命令是非法的，必须用ACT来分离他们。

（九）读命令到预充电命令间隔：

                1、相同的块：间隔不小于1clock，/HZP定义了输出缓冲器在几个clock后变成High_Z,  假如在组数据输出过程中输入了percharge command，组读数据将被中断。为了读取所以的组数据，/EP定义最后的那个数据输出和预充电执行有一个间隔。      

（十）写命令到预充电命令间隔：

                1、相同块，最小间隔不小于1clock，如果组写操作没完成，输入数据必须通过DQMU，DQML掩饰确保由tRDL定义的时间。

（十一）Bank active command 间隔

                1、相同块：两个ACT命令之间不少于tRC

                2、different bank active commands:间隔必须不小于tRRD

（十二）MRS到ACT间隔：

                间隔不小于tMRD

三、DQM control

        （一）eading:设置DQMU、DQML为低电平，输出buffer变成了Low_Z，enabling data out .设置DQMU、DQML为高电平，buffer becomes High_Z,not output.However,内部reading operations continue。the latency of DQML/DQMU during reading is 2 clocks;

        （二）writing:seting DQM to low,data can be written.in addition ,when DQM is high,corresponding data is not written,the lantency of DQM is 0clock.

缩写：

DSL--- device deselect

NOP --no operation

BST-- Burst stop

RD-- read

RDA-- read with auto precharge 

WR--- write

WRA--- write with auto precharge

ACT ---Bank activate

PRE ---precharge select bank

PALL--- prechange all banks

MRS--- mode register set

tRRD--row active to row active delay

tRCD--RAS TO CAS DELAY

tRP--row precharge time

tRAS--row active time

tRC--row cycle time

tRDL--last data in to row precharge

tREF--refresh interval time