[国嵌攻略][051][NandFlash原理解析]

扮演角色

相当于嵌入式设备的硬盘

 

NandFlash分类

1.SCL(single level cell):单层式存储

2.MLC(multi level cell):多层式存储

3.SCL在存储格上只存储一位数据，而MLC则存放两位数据

 

MLC与SLC对比

1.价格

由于MLC采用了更高密度的存储方式，因此同容量的MLC价格上远低于SLC

2.访问速度

SLC的访问速度一般要比MLC快3倍以上

3.使用寿命

SLC能进行10万次的擦写，MLC能进行1万次擦写

4.功耗

MLC功耗比SLC高15%左右

 

访问方式

1.编址方式

1.1.内存采用统一编址，NandFlash采用独立编址

1.2.统一编址表示内存的地址在CPU的地址空间里，能够通过地址线直接访问，通过数据线直接读写

1.3.NandFlash没有在CPU的地址空间里，而是在地址空间以外的，所以叫做独立编址。NandFlash通过CPU中的NandFlash控制器来访问。NandFlash控制器访问NandFlash，首先传地址，接着传命令，最后传数据。在NandFLash控制器中有相应的地址寄存器，命令寄存器和数据寄存器。CPU通过NandFlash控制器来实现对NandFlash的访问

 

地址结构

1.NandFlash被划分成多个块（block），每个块被划分成多个页（page），每个页又被划分成多个存储单元，每个存储单元分为数据区和校验区两个区

2.NandFlash的地址被划分成行地址和列地址两个部分，行地址就是页的编号吗，列地址就是页内偏移

 

信号引脚

1.CLE(command Lactch Enable):命令锁存允许

2.ALE(address Lactch Enable):地址锁存允许

3.CE:片选

4.RE:读允许

5.WE:写允许

6.WP:在写或擦除时，提供写保护

7.R/B:读/忙