2020年7月18日
模拟ic设计第一弹 ——拉扎维第三章 阻抗分析
摘要： 该系列为模拟ic设计学习笔记，会不定期更新内容。 由于笔者水平有限，文中难免存在一些不足和错误之处，诚请各位批评指正。 MOS的两种分析思路 例题：先不考虑RD，求电路的输出阻抗（考虑体效应和沟道长度调制效应等二级效应） （1）小信号电路分析 把MOS管的模型看作如下： 可以直接列等式求出Rout（ 阅读全文
posted @ 2020-07-18 10:00 莫明其妙 阅读(1104) 评论(0) 推荐(0) 编辑