摘要：1、Infineon GaN introduction 2、RC interface analysis 目前，GaN 器件作为开关器件，dV/dt可以做到>=200V/ns,然而Si器件的dV/dt,一般在45V/ns以下。过高的dV/dt对驱动芯片的CMTI要求很高，在驱动芯片选型的时候，需要特别 阅读全文
GaN 器件第三象限导通特性
2025-11-16 14:35 by 斑鸠，一生。, 536 阅读, 0 推荐, 收藏,
摘要：一、原理 The condition to turn on the channel for reverse conduction is the gate to drain voltage Vgd is higher than the threshold voltage (VGS(th)). Vgd 阅读全文
Ancora GaN 基础知识
2025-11-14 17:29 by 斑鸠，一生。, 65 阅读, 0 推荐, 收藏,
摘要：需要特别注意与MosFET 不同的是，GaN 虽然没有反向二极管，但是能反向导通，而且导通压降与Vgs（off）和Id 值有关。 阅读全文
Core loss in maxwell
2025-10-31 14:10 by 斑鸠，一生。, 581 阅读, 1 推荐, 收藏,
摘要：一、计算方式 二、Example 三、涡流场与瞬态场中磁滞损耗的对比 阅读全文
Ansys Maxwell 中PWL函数的应用
2025-10-31 08:43 by 斑鸠，一生。, 589 阅读, 0 推荐, 收藏,
摘要：一、定义 PWL 函数，使用二维函数代替传统的定值，在铁粉芯，共模电感，非晶等材质上应用较广，也是Ansys 下仿真软件的高级功能。 二、频变磁导率 三、频变磁损耗角 四、电流变磁导率 在仿真粉芯电感的DC-Bias 特性的时候，材料的磁导率随着电流是变化的，等效的电流也是不一样的。因此需要将磁导率 阅读全文
高频变压器原副边绕组之间最大工作电压的测量 According IEC62368
2025-10-16 10:25 by 斑鸠，一生。, 186 阅读, 0 推荐, 收藏,
摘要：最近参考IEC62368 爬电距离的界定值。爬电距离是根据绕组间工作电压的有效值来确定，具体值如下图所示。 其中，工作电压的定义如下：请注意工作电压是指绕组之间的电压, 非同一绕组的电压。 阅读全文
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