摘要:
最近涉及到缓冲电路,将相关学习总结如下,欢迎各位大佬多多指导!未完待续~~~ 一、原理 目前,耐压越低的Mosfet的参数特性越理想,高压Mosfet的参数特性劣于低压Mosfet。因此,能在低压侧完成的吸收就不要放在高压侧实现。 缓冲电路的本质是对漏感能量或者二极管寄生电荷向吸收电容转移,并在合适 阅读全文
非常感谢,找的教材写的不是很清楚,模电学完一年多了有点不会分析那教材上的图,您的文章对我帮助很大!
-- 蜗居i你好,请问LLC磁集成中 “漏磁磁导率为u0,漏磁不会饱合。”这句话如何理解呢?
-- nonop1995666
-- lilililip很强
-- yoyo6
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