摘要：
在大功率电源电路设计中，并联均流是趋势，下面总结常见器件均流的影响因素和特点。 一、影响因素 二、器件特性 2.1 GaN 器件 转移特性和静态参数均能是正温度系数，能实现均流。 2.2 Mosfet 器件 转移特性在Vgs较小的时候是负温度系数，Vgs较大的时候是正温度系数，静态参数是正温度系数， 阅读全文
随笔分类 - 开关器件
Ancora GaN driver circuit
2025-12-05 17:41 by 斑鸠，一生。, 25 阅读, 收藏,
摘要：
1. Ancora GaN driving character 2. Driving circuit 阅读全文
Infineon GaN Driving Circuit
2025-12-04 18:06 by 斑鸠，一生。, 92 阅读, 收藏,
摘要：
1、Infineon GaN introduction 2、RC interface analysis 目前，GaN 器件作为开关器件，dV/dt可以做到>=200V/ns,然而Si器件的dV/dt,一般在45V/ns以下。过高的dV/dt对驱动芯片的CMTI要求很高，在驱动芯片选型的时候，需要特别 阅读全文
GaN 基础知识
2023-06-05 20:25 by 斑鸠，一生。, 2410 阅读, 收藏,
摘要：
1、简介 MOSFET与HEMT对比： MOSFET vs HEMT 导电沟道结构 Vertical Lateral 导电沟道类型 PN结 2DEG 工艺 Doping Heterostructure 热阻 基本相似 GaN 是未来电力电子设计的趋势，知名电源大厂也在抢夺高频市场。 由于GaN 是通 阅读全文
功率二极管特性
2023-02-08 15:40 by 斑鸠，一生。, 919 阅读, 收藏,
摘要：
本文用于记录二极管特性及损耗分析，欢迎大家批评指正，谢谢！长期更新中~~~~~ 1、二极管特性 1.1正向导通特性 二极管的伏安特性曲线与温度关系较大. 根据不同厂家的二极管制造工艺不同，二极管存在一个临界电流Ic。 当正向电流If大于临界电流Ic时，正向电压Vf与温度是负相关关系，相关系数a<1; 阅读全文
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