SDRAM学习2

Bank区选择

因为SDRAM里面的存储空间是分块的，就是一个个Bank。初始化完成之后，无论是都还是写操作，都需要先选择Bank区和需要操作存储单元的所在行。

行激活（Bank有效）

初始化完成之后，无论是都还是写操作，都需要先激活你需要读取或者写入存储单元所在行，使之处于或动态（又称为行有效）。另外Bank区选择可以和行激活同时进行。
如下图所示：

在图中，片选CS#拉低有效、Bank区选址同时RAS也同时有效，此时Bank线和地址线同时输出需要操作存储单元所在Bank区和行地址。由于行激活的同时也会激活相应的 Bank，所以行激活也可称为 Bank 有效。

列读写

在行激活之后，就可以进行列激活。由于SDRAM里面地址线是行列公用的，因此列寻址线还是A0~A11，然后RAS和CAS反着拉电平即可（RAS低电平，CAS高电平为行选；RAS高电平，CAS低电平为列选）。

关于A10，在列读写的时候可以控制是否进行预充电。
在发送行激活命令之后，需要间隔一段时间（tRCD）之后才可以发送列读写命令，因为器件需要一个间隔时间等待电子元件响应。

数据读出

读写指令和列选是同时进行的，此时WE#为有效状态，其中WE#高电平为读数据。当行列地址选好之后，就是把操作存储单元确定下来了。但是指令发出去到读出数据还需要给内部电路响应时间，这个时间段为CL（潜伏期）。CL越短，响应越快。

数据写入

读写指令和列选是同时进行的，此时WE#为有效状态，其中WE#高电平为读数据。数据写入的操作也是在tRCD之后进行，但是写入时没有CL的。

但是数据线输入数据时，数据并不是立刻被写入的，需要一定周期。为了保证数据可靠写入，需要预留足够写入和矫正时间（tWR）。这一个操作也被称为：写回，tWR至少占用一个时钟周期，当时钟频率越高，占用周期数越多。

突发长度

突发指的是，对一个存储单元操作的时候，同时对后面连续几个单元连续地，跟着地，逐个地进行同样操作。那么，突发长度指的是设置对后面需要连着几个单元进行同样操作。 这样操作可以节省一个个单元操作时，中间重复之前做过的工作（行激活），从而减少操作时间，提高效率。

上图为非突发操作

上图为突发操作

预充电

在对SDRAM某一存储地址读写操作之后，若果要对另外一行操作，则需要关闭本行，激活另外一行，这一个操作叫：预充电。需要这样做，因为操作之后，存储端元里面的电容或多或少被干扰。预充电实际上就是对工作行中所有存储体进行数据重写，并对行地址进行复位，以准备新行工作的过程。

同样，发出预充电操作之后，需要间隔一段时间（tRP）才可以进行下一个行激活。

刷新

一般，SDRAM里面的数据在电容里最多存储60ms左右，所以要在60ms内把数据全部读出在写入，这一个过程叫做刷新。不过这里操作分为：自刷新和自动刷新。

在自动刷新（AR）时，所有Bank区都停止工作。每次刷新操作所需要的时间为自动刷新周期（tRC），在自动刷新指令发出后需要等待 tRC 才能发送其他指令。

自刷新（SR）主要用于低功耗休眠下。在发出AR命令时，将CKE置于无效状态，就进入了SR模式，此时不再依靠系统时钟工作，而是根据内部的时钟进行刷新操作。在SR期间除了CKE之外的所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令），只有重新使 CKE有效才能退出自刷新模式并进入正常工作状态。

掩码

在突发操作的时候，可能有的数据位你不想要。那么，在发送到这意为数据的时候，给该输入端指令，对该位进行屏蔽。

读取时 DQM 信号时序图

写入时 DQM 信号时序图