EFlash控制器

在没有core的bfm平台跑一下用例：

步骤一、选择NVR=0，即main array；

步骤二、配置chip-erase time TERASE，需要大于30ms——这是重点；

步骤三、配置chip-erase的recovery timeTRCV，需要大于200us；

步骤四、配置chip-erase使能寄存器ME；

步骤五、等待40ms后，配置program的recovery timeTRCV（与步骤三是同一个寄存器——这是重点），需要大于5us；

步骤六、配置写地址、写数据、写使能寄存器，每次写需要等待46us左右；

步骤七、配置AHB总线读flash

 

还做了以下测试：

1、选择main array进行chip erase，chip erase后读到flash默认值为全1；

2、选择main array进行program，program后读到flash值为写入值；

3、不能一上电就program，因为flash中的值不能从0变为1；在program之前，必须要erase，erase后需要将Trcv值从erase恢复时间修改为program恢复时间，否则program后会发现读出来的值不对，即program不成功；

4、选择NVR区进行5个sector的擦除，sector擦除后NVR默认值为全1；sector擦除后进行program，读出来值正常；再选择非NVR区进行chip erase；再选择NVR区进行读，读出来值正常；

 

EFC连接AHB-I和AHB-S总线。

AHB-I只能读前510KByte，AHB-I不能擦除、编码，AHB-I不能访问EFC寄存器。

AHB-S只能读后2KByte，AHB-S可以擦除、编写flash，或者访问EFC寄存器。

以下介绍8MHz下soc的几种主要操作：

1、读

     步骤一，选择main块或者info块，NVR=0即选择main块，NVR=1即选择info块；

     步骤二，设置读周期，TRC=0（TRC值是基于工作时钟clk的频率决定的，TRC>=30ns）

2、正常的编码：

     步骤一，选择main块或者info块，NVR=0即选择main块，NVR=1即选择info块；

     步骤二，设置写地址寄存器，ADDR（偏移量=0x04）

     步骤三，设置写数据寄存器，WDATA（偏移量=0x1c）

     步骤四，设置编码参数：TNVS、TPGS、TPROG、TRCV（均根据clk频率决定）；

     步骤五，使能写操作：写WE寄存器（偏移量0x18）数据0x1

3、页擦除操作：

      步骤一，选择main块或者info块，NVR=0即选择main块，NVR=1即选择info块；

      步骤二，设置擦除开始地址，ADDR（偏移量=0x04）

      步骤三，设置编码参数：TNVS、TRCV、TERASE（均根据clk频率决定）；

      步骤四，使能擦除操作：写PE寄存器（偏移量0x10）数据0x1

4、mas擦除操作：

      步骤一，选择main块，即设置NVR=0

      步骤二，设置TNVS、TRCV、TERASE（均根据clk频率决定）；

      步骤三，使能mas擦除操作：写ME（偏移量0x14）数据0x1