有两种方法表示电场中的储能：一种用场源表示，一种用场量表示。
或者更明确一点说，一种用电量q表示，一种用场强E表示。
而q和E之间存在着关系，所以这两种方法实际上是等价的。
用场源表示时，积分区域是存在着电荷的区域；
用场量表示时，积分区域是存在着电通量线的区域。
以表面存在电荷的金属球为例：
如果用场源计算储能，积分区间是球表面，即对球表面求面积分；
如果用场量计算储能，积分区间是存在电场的区域，即从无穷远到球表面求体积分。
根据C=Q/U，电容C可以理解为“建立单位电势所需的电荷”。
考虑平板电容情况：
1. 若平板面积增大，为建立单位电势，E必须保持不变，E不变即电荷密度ρ不变，Q=ρs增加，C增大
2. 若平板距离增大，为建立单位电势，根据U=E·d，E需减小，即电荷密度ρ减小，Q减小，C减小。
3. 假设我们将一个平板电容用在芯片的3.3VIO电源上，更大的平板间距表示更小的场强、更少的储能，即更小的电容。
因为我们几乎总是在一定的电压下使用电容，所以储存电荷的能力Q=CV中，C是主要参数。
