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摘要: MARK点、定位孔、拼板邮票孔详解 bujidao1128 布吉岛 2025.5.21 在PCB设计和制造中,PCB中的MARK点、定位孔、拼板邮票孔各自扮演着重要的角色。 MARK点 MARK点也称为基准点或光学定位点,主要用于SMT(表面贴装技术)和AOI(自动光学检测)等自动化机械的定位参考。 阅读全文
posted @ 2024-09-12 10:29 bujidao1128 阅读(707) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 一体成型的电感 bujidao1128 布吉岛 2025.6.15 一体成型电感的磁芯 一体成型电感器通常包含磁芯。这种电感器是通过将金属磁性材料与线圈进行一体成型的工艺制造的,这种工艺可以是金属粉末与绕组线圈通过高压成型工艺整合在一起。这样的结构不仅提供了高机械强度,还有助于提高电感器的磁屏蔽效果 阅读全文
posted @ 2024-09-10 19:58 bujidao1128 阅读(85) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 功率电感的额定电流 功率电感的各参数:两个额定电流Isat , Irms 如何理解? 功率电感一般分为以下四种外形(如图)。而在DC/DC升压降压电路中,电感是仅次于IC的最核心元器件。 选择好的功率电感,可获得较高的转换效率。功率电感的选型,一般需要参考以下几个参数:L(电感值),Isat(饱和电 阅读全文
posted @ 2024-09-10 11:47 bujidao1128 阅读(413) 评论(0) 推荐(0)
摘要: I2C总线为什么要接上拉电阻 I2C为什么要接上拉电阻?因为它是开漏输出。 开漏输出 为什么是开漏输出? I2C协议支持多个主设备与多个从设备在一条总线上,如果不用开漏输出,而用推挽输出,会出现主设备之间短路的情况,所以总线一般会使用开漏输出。 上拉电阻 1、为什么要接上拉电阻? 接上拉电阻是因为I 阅读全文
posted @ 2024-09-07 15:55 bujidao1128 阅读(596) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 推挽输出、开漏输出 在使用MCU时,常看到配置IO口为推挽输出、开漏输出,以STM32为例,IO口有以下几种模式,单片机的内部电路简化图如下: 推挽输出 开漏输出 复用推挽输出 复用开漏输出 推挽输出 推挽电路的示意图: 当IN输入低电平时,P-MOS导通,N-MOS截止,此时OUT输出的电压是VD 阅读全文
posted @ 2024-09-06 19:38 bujidao1128 阅读(776) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 拨码开关详解 拨码开关简介 拨码开关(也叫DIP开关,拨动开关,超频开关,地址开关,拨拉开关,数码开关,指拨开关)是一款用来操作控制的地址开关,采用的是0/1的二进制编码原理。 拨码开关多数用于程序控制板块,控制元器件性能电路导通断开。所以拨码开关也会根据行业板块称呼为:程序开关、地址开关、和最耳熟 阅读全文
posted @ 2024-09-06 09:34 bujidao1128 阅读(1845) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 芯片电源入口VCC串联的小电阻 我们经常会看到,在一些芯片的电源入口处不是直接接入直流电源,而是在VCC入口串联一个几十欧姆的小电阻,这个电阻有什么作用呢? 示意图如下 具体分析: 1.假设没有这个电阻R1,当芯片击穿后,芯片内部的VCC引脚跟GND短路,VCC引脚又直接跟电源15V连接,15V就会 阅读全文
posted @ 2024-09-04 08:54 bujidao1128 阅读(300) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 晶振并联的1M电阻 与晶振并联的1M电阻是什么用?为何有的有用,有的没有用?应该如何选择? 在实际的产品设计时,针对晶振部分的电路,你会发现会有下面2种电路,图1电路中,没有1M的电阻;图2电路中,晶振会并联一个1M的电阻。 晶振电路的相关问题 1M电阻具体是什么作用呢? 为什么有的时候有,有的时候 阅读全文
posted @ 2024-09-04 08:39 bujidao1128 阅读(240) 评论(0) 推荐(0)
摘要: RAM和ROM详解 前言 RAM与ROM是计算机中常见的存储器类型,它们在数据存储和访问方面扮演着重要的角色。 RAM(Random Access Memory)是一种临时存储器,用于存储计算机正在运行的程序和数据。它具有快速的读写速度和随机访问的特点。 相比之下,ROM(Read-Only Mem 阅读全文
posted @ 2024-09-02 19:50 bujidao1128 阅读(1062) 评论(0) 推荐(0)
摘要: flash详解 什么是Flash Flash全名叫做Flash Memory,从名字就能看出,是种数据存储设备,存储设备有很多类,Flash属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于 阅读全文
posted @ 2024-09-02 19:10 bujidao1128 阅读(529) 评论(0) 推荐(0)
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