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NANDFLASH与eMMC的区别

NANDFLASH与eMMC的区别为:来源不同、用途不同、读取不同。

一、来源不同

1、NANDFLASH:NANDFLASH是东芝在1989年的国际固态电路研讨会(ISSCC)上发表的。

2、eMMC:eMMC为MMC协会所订立的。

二、用途不同

1、NANDFLASH:NANDFLASH适合用于储存卡之类的大量存储设备。

2、eMMC:eMMC主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。

三、读取不同

1、NANDFLASH:NANDFLASHI/O接口并没有随机存取外部地址总线,它必须以区块性的方式进行读取。

2、eMMC:eMMC在封装中集成了一个控制器,提供标准接口进行读取并管理闪存。


 

 

NAND Flash的存储单元分为SLC(Single Layer Cell)、MLC (Multi-Layer Cell)以及TLC(Triple Layer Cell),目前,SLC已经淡出主流市场,主流存储单元正在从MLC向TLC迈进。
eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用统一的MMC标准接口,自身集成MMC Controller,存储单元与NANDFLASH相同。针对Flash的特性,eMMC产品内部已经包含了Flash管理技术,包括错误探测和纠正,Flash平均擦写,坏块管理,掉电保护等技术。
但当前NAND Flash在嵌入式产品中应用仍然极为广泛,因此坏块管理、掉电保护等措施就需要依赖NAND Flash使用厂家通软件进行完善。
在ARM核心板、ARM开发板、ARM工控板领域,M3352核心板、M283核心板、M287核心板、M3517核心板、EPC-8000工控主板、EPC-9600、EPC-9200、EPC-9100工控主板等产品,针对NandFlash有着完善的坏块管理、掉电保护等措施,例如分别在wince 与linux系统下加固flash驱动、对操作系统进行双备份以及对flash进行10万次掉电测试等。


 

今天跟大家聊聊eMMC与NAND Flash有什么区别和联系。

首先我们要认识Flash,Flash分为两种规格:NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块。上个世纪八十年代,日本发表了NAND Flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。因为NAND Flash的晶片容量相对于NOR大,更像硬盘,写入与清除资料的速度远快于NOR,所以当时多应用在小型机以储存资料为主。目前已广泛应用在各种存储设备上,可存储代码和资料。

 NAND Flash的存储单元从最初的SLC, 到2003年开始兴起MLC,发展至今,SLC已经淡出主流市场,主流存储单元正在从MLC向TLC迈进。纳米制程工艺和存储单元的发展,使得同样大小的芯片有更高密度和更多的存储单元,Flash得以在容量迅速增加的同时,还大幅降低了单位存储容量的成本。

然而NAND Flash 随着纳米制程和存储技术的主流趋势发展,性能却在不断下降。可擦写寿命短,出错概率高,读写速度慢,稳定性差。嵌入式存储芯片eMMC就可以弥补这个市场需求和NAND Flash发展的缺口。

而eMMC和Nand flash 之间的区别,主要是:在组成结构上,eMMC存储芯片简化了存储器的设计,将NAND Flash芯片和控制芯片以MCP技术封装在一起,省去零组件耗用电路板的面积,同时也让手机厂商或是计算机厂商在设计新产品时的便利性大大提高。而NAND Flash仅仅只是一块存储设备,若要进行数据传输的话,只能通过主机端的控制器来进行操作,两者的结构图如下:

 

从闪存的发展历史看,eMMC与NAND Flash有什么区别与联系?

 

在功能上:eMMC则在其内部集成了 Flash Controller,包括了协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能。相比于直接将NAND Flash接入到Host 端,eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性,可以减少 Host 端软件的复杂度,让 Host 端专注于上层业务,省去对 NAND Flash 进行特殊的处理。同时,eMMC通过使用Cache、Memory Array 等技术,在读写性能上也比 NAND Flash要好很多。

宏旺半导体总结一下:NAND Flash 是一种存储介质,要在上面读写数据,外部要加主控和电路设计;eMMC是NAND flash+主控IC ,对外的接口协议与SD、TF卡类似;对厂家而言简化了电路设计,降低了成本。

 

从闪存的发展历史看,eMMC与NAND Flash有什么区别与联系?

 

使用emmc的好处是,除了得到大容量的空间(这一点,只用NAND FLASH多堆叠也可以做到),还有就是emmc可以管理NAND (坏块处理,ECC)等。宏旺半导体推出的eMMC支持命令行序列,能够大幅度提升闪存的性能表现,另外还支持安全写保护功能,可提升安全性,容量从8GB到128GB不等,封装尺寸为11.5*13mm,在不久的将来,宏旺半导体将推出更多高品质高性能的存储产品。

 


 

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手里有一个斐讯的N1盒子,装了10多个APP,有几个集合类电影的,需要缓存到本地才能看,比如人人影视这类的,8G的空间只剩下2G多些,经常提示缓存已满,于是想改造下,扩容!
收集了资料,大致的思路是,拆下原闪存→焊到安国的主控U盘板上(做读卡器)→读取全盘数据做备份→写入新的emmc上→新的emmc焊回到n1上→通电,双清思路很简单,但是......事情往往没那么顺利,咱们还是看图说话吧
先拆机,最后一次全家福。。。

拆emmc

好了到目前为止一切顺利
植锡,焊到安国主控的U盘板子上


植锡的过程可以说问题不少,而且卡在这一步,最后也没成功
因为新买的植锡板,新手未掌握要领,芯片掉了好几处焊点,并且严重变形报废了,
我简单的总结了下没成功的原因,1.锡膏涂抹的时候未压实 2.锡膏应该晾晾,太稀3.热风枪温度太高(350),锡膏沸腾焊糊了
4.自己太自信了,没练就直接上手
这个就是那个被我反复蹂躏的8gemmc,报废了

没有备份,怎么办,难道要成尸体???
网上疯狂的找备份,结果一无所获
最后联系到了一个牛人----小韩
给了我一个n1的boot的备份文件,
再他的帮助下,重新整理了下思路。
新的32gemmc中写入boot,然后连接ttl,按n1救砖教程,
刷入固件。
用这个软件写入


写的有点慢,耐心等待。。。

写好了

对比下,别刷错了。。。。

ok,可以焊到n1了,这次吸取上了上次的教训,一次植锡成功
焊上ttl线

连接ttl通电,激动的时刻来了

可以了。。。
电脑上打开USB_Burning_Tool工具
选好刷入的固件,去掉擦除flash和擦除bl,并连接好usb,
短接好刷机救砖的那两个点(此处可参照网上n1救砖教程)

接上电,然后狂按Ctrl+C就进入了命令行,输入命令update
成功刷机


可是还是8g,不急这里需要双清或是格式化用户分区
我直接格式化分区了


没啥技术含量,别人也发过,在这里我是记录下我的过程,并感谢帮助过我的--小韩


 

posted @ 2021-09-28 14:00  boowii  阅读(2503)  评论(0编辑  收藏  举报