SLC > TLC > MLC > QLC的区别
slc（单层存储单元）理论擦写次数10万次，mlc（双层存储单元）3000-10000次；tlc（三层存储单元）500-1000次；qlc（四层存储单元）仅仅150次
1、生产成本上
slc＞mlc＞tlc＞qlc
2、读写速度上
slc＞mlc＞tlc＞qlc
3、在使用寿命上
slc＞mlc＞tlc＞qlc
固态硬盘和U盘里的slc、mlc、tlc、qlc颗粒有什么区别？
我们计算一下使用寿命，以120G硬盘为例，假如每天写入10G数据，各个颗粒按照最低擦写次数计算，
slc理论寿命=120*100000/10=1200000天=3287.67年；
mlc理论寿命=120*3000/10=36000天=98.6年；
tlc理论寿命=120*500/10=6000天=16.44年；
qlc理论寿命=120*150/10=1800天=4.93年。
qlc看起来很垃圾，但是不能这样算，因为qlc的优势是单位存储密度大，qlc硬盘至少得500G起步，市场普及后应该1T起步，按照500G计算理论寿命为20.55年，1T计算则为41年以上，估计电脑退休了，硬盘都坏不了。
正常情况下，唯一能让你换硬盘的理由是——容量不够了或者速度不够了，买硬盘之前先想好自己的用途，一般办公tlc绝对够用。
预算有限的家庭用户与其花高价钱买slc不如买mlc，容量更大，速度够用，免得5年后再换硬盘；
预算再低一点、对速度不敏感的，买tlc就够了；
只用来MS office、看视频的，qlc绝对够用，因为机械硬盘就能满足了根本用不到上固态。
二手硬盘
同样是6的原因，咸鱼上很多退下来的二手企业级硬盘说不定比你新买的tlc硬盘使用寿命都长，速度还快，难道不香吗？只要使用时间不长，或者使用强度不高，入手不会亏的。
为什么slc成本高、qlc成本低呢？
因为一个同样的晶圆上，假如qlc颗粒能做到1T容量，tlc只能做512G，mlc只能做256G，到了slc上只能做128G了。
简单来说就是，QLC的容积大，同样大的晶圆能装下更多数据，这就降低了成本。
https://www.zhihu.com/tardis/zm/art/130428731?source_id=1003
一文看懂各种存储器的区别，NAND、DDR、LPDDR、eMMC...
一、NAND
NAND Flash存储器是Flash存储器的一种，属于非易失性存储器，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如闪存盘、固态硬盘、eMMC、UFS等。
根据其不同的工艺技术，NAND已经从最早的SLC一路发展到如今的MLC、TLC、QLC和PLC。
按速度价格对比排序：SLC>MLC>TLC>QLC>PLC
按容量大小对比排序：PLC>QLC>TLC>MLC>SLC
目前主流的应用解决方案为TLC和QLC。SLC和MLC主要针对军工，企业级等应用，有着高速写入，低出错率，长耐久度特性。
除此，NAND Flash根据对应不同的空间结构来看，可分为2D结构和3D结构两大类：
下面是各大NAND Flash芯片生产厂商在3D NAND Flash产品的量产状况：
二、DDR、LPDDR
DDR全称Double Data Rate（双倍速率同步动态随机存储器），严格的来讲，DDR应该叫DDR SDRAM，它是一种易失性存储器。
虽然JEDEC于2018年宣布正式发布DDR5标准，但实际上最终的规范到2020年才完成，其目标是将内存带宽在DDR4基础上翻倍，速率3200MT/s起，最高可达6400MT/s，电压则从1.2V降至1.1V，功耗减少30%。
LPDDR是在DDR的基础上多了LP(Low Power)前缀,全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，简称“低功耗内存”，是DDR的一种，以低功耗和小体积著称。
目前最新的标准LPDDR5被称为5G时代的标配，但目前市场上的主流依然是LPDDR3/4X。
DDR和LPDDR的区别？
应用领域不同。DDR因其更高的数据速率、更低的能耗和更高的密度广泛应用于平板电脑、机顶盒、汽车电子、数字电视等各种智能产品中，尤其是在疫情期间，由于在家办公、网课和娱乐的增加，平板电脑、智能盒子的需求也逐步攀升，这对DDR3、DDR4的存储性能要求更高、更稳定。
而LPDDR拥有比同代DDR内存更低的功耗和更小的体积，该类型芯片主要应用于移动式电子产品等低功耗设备上。
LPDDR和DDR之间的关系非常密切，简单来说，LPDDR就是在DDR的基础上面演化而来的，LPDDR2是在DDR2的基础上演化而来的，LPDDR3则是在DDR3的基础上面演化而来的，以此类推。
但是从第四代开始，两者之间有了差别或者说走上了不同的发展，主要因为DDR内存是通过提高核心频率从而提升性能，而LPDDR则是通过提高Prefetch预读取位数而提高使用体验。
同时在商用方面，LPDDR4首次先于DDR4登陆消费者市场。
三、eMMC、UFS
eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用统一的MMC标准接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封装在一颗BGA芯片中。
针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。
用户无需担心产品内部flash晶圆制程和工艺的变化。同时eMMC单颗芯片为主板内部节省更多的空间。
简单地说，eMMC=Nand Flash+控制器+标准封装
eMMC具有以下优势： 1.简化类手机产品存储器的设计。 2.更新速度快。
3.加速产品研发效率。
UFS：全称Universal Flash Storage，我们可以将它视为eMMC的进阶版，同样是由多个闪存芯片、主控组成的阵列式存储模块。
UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行（读写必须分开执行）的缺陷，可以实现全双工运行，所以性能得到翻番。
四、eMCP、uMCP
eMCP是结合eMMC和LPDDR封装而成的智慧型手机记忆体标准，与传统的MCP相较之下，eMCP因为有内建的NAND Flash控制芯片，可以减少主芯片运算的负担，并且管理更大容量的快闪记忆体。
以外形设计来看，不论是eMCP或是eMMC内嵌式记忆体设计概念，都是为了让智慧型手机的外形厚度更薄，更省空间。
uMCP是结合了UFS和LPDDR封装而成的智慧型手机记忆体标准，与eMCP相比,国产的uMCP在性能上更为突出，提供了更高的性能和功率节省。
eMMC是将NAND Flash芯片和控制芯片都封装在一起，eMCP则是eMMC和LPDDR封装在一起。
对于手机厂商而言，在存储产业陷入缺货潮的关键时期，既要保证手机出货所需的Mobile DRAM，又要保证eMMC货源，库存把控的难度相当大，所以eMCP自然成为大部分中低端手机首选方案。
uMCP是顺应UFS发展的趋势，满足5G手机的需求。
高端智能型手机基于对性能的高要求，CPU处理器需要与DRAM高频通讯，所以高端旗舰手机客户更青睐采用CPU和LPDDR进行POP封装，这样线路设计简单，可以减轻工程师设计PCB的难度，减少CPU与DRAM通讯信号的干扰，提高终端产品性能，随之生产难度增大，生产成本也会增加。
5G手机的发展将从高端机向低端机不断渗透，从而实现全面普及，同样是对大容量高性能提出更高的要求，uMCP是顺应eMMC向UFS发展的趋势。
uMCP结合LPDDR和UFS，不仅具有高性能和大容量，同时比PoP +分立式eMMC或UFS的解决方案占用的空间减少了40%，减少存储芯片占用并实现了更灵活的系统设计，并实现智能手机设计的高密度、低功耗存储解决方案。
综上所述简单总结一下：
eMMC=Nand Flash+控制器（Controller）+标准封装
UFS=eMMC的进阶版
eMMC：半双工模式 UFS：全双工模式
eMCP=eMMC+LPDDR+标准封装
uMCP=UFS+LPDDR+标准封装
