摘要: 设计一个包含KV操作、 磨损均衡的FLASH数据存储组件 在嵌入式环境中常用的存储器有NORFlash、NANDFlash、EEPROM,前两个一般擦写寿命约为10w次,EEPROM的使用次数约为100w次,寿命长的我先不管QAQ,这里的寿命指的是当flash中的存储单元写入或者擦除超过这个次数,这个存储单元可能会出现出错、变慢等无法正常读写的问题。按照木桶效应最先到达存储寿命的存储单元就是整个存储器的整体寿命,假如数据存储的时候先后在10个地址存储确保每个存储单元每隔10次数据改动才需要擦写消耗一次寿命,那存储器的整体寿命就会提升到100w 阅读全文
posted @ 2024-12-30 13:28 HuDaXia 阅读(9) 评论(0) 推荐(0) 编辑