NIR相机
近红外（NIR）相机——专为低照度环境而设计的高灵敏度相机
近红外光”(Near-Infrared) 是介于可见光和中红外光间的电磁波，因此是不能被人眼所察觉到的。近红外优化工业相机广泛适用于交通监控等有波长范围要求，即光照条件较差的应用。一直以来，以上应用都依赖价格昂贵的CCD芯片才能实现。
如今，最新的CMOS技术可提升近红外范围超过850nm的感光芯片的灵敏度。这是因为，CMOS技术针对可见光谱区应用了一层较厚的衬底层（相对于单色感光芯片而言），而早期的标准CCD技术却无法实现。基于近红外范围而研发的特制高档CCD芯片是十分有必要的。引入新CMOS技术的优质近红外敏感度工业相机已投入批量生产，这一发展不但另该类产品变得物美价廉，也同时增加了其在机器视觉市场中的份额。
正如Basler ace系列所推出的200万像素(CMV2000)和400万像素 (CMV4000) 近红外（NIR）相机，该类产品选用了CMOSIS芯片或e2V芯片130万像素(EV76C661)，在850nm的范围仍保持了近40%的量子效率。与非近红外优化相机相比，近红外优化相机在该波长上的灵敏度系数则要高出一倍。
何种应用需要使用近红外相机？
有些应用领域和监测解决方案，需要用到近红外相机广阔的波长范围，及其在正常光线条件下获得的高对比度图像。一般的工业相机在上述特定条件下很快到达极限，因为它们需要在非常好的光线条件下，才能捕获可用图像。然而，创造良好光线条件，就需要投入大量的资金，其难度也不容忽视。这也直接造成系统成本增加，使整体性价比降低。因此，近红外优化相机为监测类的用户简化和解决了上述问题。
典型应用案例，如：
如今，最新的CMOS技术可提升近红外范围超过850nm的感光芯片的灵敏度。这是因为，CMOS技术针对可见光谱区应用了一层较厚的衬底层（相对于单色感光芯片而言），而早期的标准CCD技术却无法实现。基于近红外范围而研发的特制高档CCD芯片是十分有必要的。引入新CMOS技术的优质近红外敏感度工业相机已投入批量生产，这一发展不但另该类产品变得物美价廉，也同时增加了其在机器视觉市场中的份额。
正如Basler ace系列所推出的200万像素(CMV2000)和400万像素 (CMV4000) 近红外（NIR）相机，该类产品选用了CMOSIS芯片或e2V芯片130万像素(EV76C661)，在850nm的范围仍保持了近40%的量子效率。与非近红外优化相机相比，近红外优化相机在该波长上的灵敏度系数则要高出一倍。
何种应用需要使用近红外相机？
有些应用领域和监测解决方案，需要用到近红外相机广阔的波长范围，及其在正常光线条件下获得的高对比度图像。一般的工业相机在上述特定条件下很快到达极限，因为它们需要在非常好的光线条件下，才能捕获可用图像。然而，创造良好光线条件，就需要投入大量的资金，其难度也不容忽视。这也直接造成系统成本增加，使整体性价比降低。因此，近红外优化相机为监测类的用户简化和解决了上述问题。
典型应用案例，如：
- 夜晚或暗淡光线条件——交通监控设备
- 光谱感知区定位——水果蔬菜类受损检测
- 电致发光的太阳能晶体检测
- 红外范围的高灵敏度表现
- 高对比度，尤其在恶略照明条件下
- 特殊光谱特性检测物的保持高对比度
- 可与CCD相机抗衡的价格优势
- 可靠的生产流程和高品质保证
