随笔分类 - 电子元器件、可靠性
摘要：Nand Flash 和Nor Flash 的区别 主要的区别就是： 1、 NAND 比NOR 便宜；NAND 的容量比NOR 大（指相同成本）；NAND 的擦写次数是NOR 的十倍；NAND 的擦除和写入速度比NOR 快，读取速度比NOR 稍慢； 2、 NAND 和NOR 的读都可以以字节为单位，
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摘要：电子产品的可靠性设计是指在产品设计时就考虑产品的故障率、使用年限、使用环境等因素后 ，再进行电路设计，因为考量了以上因素，所以设计出的产品的质量是可控的和有保障的。 电子产品可靠性设计包括降额设计（降额参数和降额因子）、热设计（热设计计算、热设计 测试、热器件选型）、电路安全性设计规范、EMC设计、
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摘要：很多时候，一块电路板的寿命是由电路板上的电解电容寿命决定的，下面就是铝 电解电容寿命计算公式：
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摘要：1 导热系数的范围以及稳定度 导热硅胶片在导热系数方面可选择性较大,可以从0.8w/k.m -…3.0w/k.m以上，且性能稳定,长期使用 可靠; 导热双面胶目前最高导热系数不超过1.0w/k-m的，导热效果不理想; 导热硅脂属常温固化工艺，在高温状态下易产生表面干裂，性能不稳定，容易挥发以及流动,
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摘要：半导体器件可以分为大功率器件和小功率器件。 1 大功率器件的额定功率一般是指带散热器时的功率，散热器足够大时且散热良好时，可以认为其表面到 环境之间的热阻为0，所以理想状态时壳温即等于环境温度.功率器件由于采用了特殊的工艺，所以其最高允 许结温有的可以达到175度。但是为了保险起见，一律可以按150
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摘要：热阻指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值。单位为开尔 文每瓦特（K/W）或摄氏度每瓦特（℃/W）。当热量流过两个相接触的固体的交界面时，界面本身对 热流呈现出明显的热阻，称为接触热阻。 计算公式： 上式中，T1为物体一端的温度、T2为物体另一端的温度以及P为发热源的功
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摘要：电子设备的主要失效形式就是热失效。据统计，电子设备的失效有55％是温度超过规定值引起的，随着温 度的增加，电子设备的失效率呈指数增长。所以，功率器件热设计是电子设备结构设计中不可忽略的一个环节， 直接决定了产品的成功与否，良好的热设计是保证设备运行稳定可靠的基础。 功率器件热传递的主要方式 热量的传
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摘要：我们都知道MLCC电容分Y5V、X5R、X7R、COG等种类，买回后用使用LCR测量仪检测总觉的容值偏少，为什么尼? 这是因为MLCC的内部成分的原因。像Y5V、X5R、X7R这类的MLCC内部介电材料主要由BaTiO3 (钛酸钡)等组成。而钛酸钡 由于内部晶体结构常温下会导致自发极化。 啥叫自发极
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摘要：陶瓷电容 MLCC 陶瓷电容的结构、工艺、失效模式 1 结构 MLCC呈长方体结构，由两边端子电极和内部电极组成。 1.1 端子电极结构 底层 铜Cu或Ag/AgPd镀层用于连接， AgPd含量高可以防硫化； 中层 镍（Ni）镀层，以阻挡Ag/AgPd和外层Sn发生反应)； 外层 锡（或SnPb
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