【器件对比】器件对比 概念归纳积累

1、铁电存储器和其他存储器如：flash （2012.2.18）

铁电：断电数据不丢失，写入快，耗电低。

其他：1、断电数据丢失

      2、断电数据不丢失，但是由ROM技术研发出来的，写入速度慢，功耗大。（EPROM、EEPROM和Flash。）

 

  静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。

  非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。

  所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。
  铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。