【FLASH】写MSP430片内flash|FLASH 读写等操作 学习
【FLASH 操作】FLASH 读写等操作 学习
近似型号中文资料：
IC型号：N25Q128 http://www.soiseek.cn/NUMONYX/N25Q128/2.htm
官方文档：F5438中文全集.pdf_免费高速下载|百度网盘-分享无限制 第60页
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// 参数： adr 为地址 , 范围 0x1000~0xFFFF
void FlashRead(long adr,uint8 *bBuf,uint8 bLen)
{
while (bLen--)
*bBuf++=*(uint8 *)adr++;
return;
}
// 写入地址 adr 写入数据：*pc_byte
void FlashWrite(long adr,uchar *Datain,uint len)
{
//FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 = FWKEY + WRT;
while(FCTL3 & BUSY); //如果处于忙状态，则等待
while(count--)
{
while(FCTL3 & BUSY);
*(uchar*)adr++ = *Datain++;
}
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while(FCTL3 & BUSY);
}
EraseSectorFlash 过程
void EraseSectorFlash(unsigned int adr)
{
_DINT();
uchar *p0;
//FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//选择时钟源，分频
FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK
while(FCTL3 & BUSY);//如果出于忙，则等待
FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作 每段512字节
p0 = (unsigned char *)adr;//数值强制转换成指针
*p0 = 0; //向段内任意地址写0，即空写入，启动擦除操作
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while(FCTL3 & BUSY);
_EINT(); //开总中断
}
查看空闲的FLASH 地址，避免擦除代码所在的地址。每次擦除均是一段一段的擦除，每段512字节。
找不到datasheet，不知道段的起止地址的，可以打开memory ，在内存窗口，用代码尝试随便写入一个任意地址，看哪些地方被改写成0xFF 就知道段的起止，如：
我们在0x15000写入（EraseSectorFlash(0x15000);），那里原本有非0xFF数据，好辨认（是FF的可以先写再擦）。看到段的起止是15000-151ff 刚好是512 。
0x15000+0x200->0x15200 所以下一段的起始地址是 0x15200 以此类推。
验证代码：
EraseSectorFlash(0x2A000);
EraseSectorFlash(0x2A200);
EraseSectorFlash(0x2A400);
EraseSectorFlash(0x2A600);
FlashWrite(0x2A000,origin_protect_data,512);
memset(origin_protect_data,0xCB,900);
FlashWrite(0x2A200,origin_protect_data,512);
memset(origin_protect_data,0xCA,900);
FlashWrite(0x2A400,origin_protect_data,512);
memset(origin_protect_data,0xC9,900);
FlashWrite(0x2A600,origin_protect_data,512);
* *
* SEGMENTS IN ADDRESS ORDER *
* *
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SEGMENT SPACE START ADDRESS END ADDRESS SIZE TYPE ALIGN
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DATA16_AN 0102 - 0103 2 rel 0
0120 - 0121 2
0140 - 0141 2
0144 - 0145
