SDRAM学习（一）之刷新心得
本篇博文共有两种刷新方式
SDRAM数据手册给出每隔64ms就要将所有行刷新一遍，
因此每隔64_000_000 ns/2^12=15625ns 就要刷新一次。(因为一个L-Bank的行是12位，所以一共有2^12行)。
假设我的时钟频率是100Mhz（一个周期是10ns）,则只需要每隔1562个时钟周期刷新一次即可。
注意：这里最多隔 1562 个时钟周期就要保证至少刷新一次，言外之意，我可以隔小于1562的时钟周期就刷新一次，这样也是可以的，
因此，在设计刷新操作的时候可以利用这个特点。
1、例如在full-page模式下利用这个特点进行刷新设计，
SDRAM 初始化完成后，每隔一定的刷新时间就执行刷新操作，但是当刷新时间到了还不够，还必须处于IDLE状态时，才能执行刷新操作。
那么这个刷新时间要怎么计算呢？
刷新有可能出现的情况为
刷新时间到了，刚好处于 IDLE 状态，那么就立即执行刷新操作。
刷新可能出现最坏的结果为，刷新时间到了，但是此刻我没有处于 IDLE 状态，而是刚好处于读或写，这时我就需要等待直到IDLE状态时才执行刷新操作。
因此我们要保证的是 刷新时间+需要等待的时间<=1562.
这两个时间如何确定呢？
因为是全页模式的读写，则突发长度为2^8，需要256个时钟周期，
如果是读，则需要等待的时钟周期为 激活时间（tRCD）+ CAS Latency (tCL)+ 256 +预充电的时间（tRP）
如果是写，则需要等待的时钟周期为 激活时间（tRCD）+ 256 +预充电的时间（tRP）
tRCD、tCL、tRP都可以从 datasheet 中获得，因此需要等待的时间就能算出来。
1562 - 需要等待的时间 = 刷新时间。
2、第二种刷新方式：刷新计数器计数到刷新时间1562时，设立一个刷新标志位 refresh_flag =1,当状态机在 IDLE 状态时且 refresh_flag =1则响应刷新操作。刷新计数器设立刷新标志位后立即又从零开始计数，不再等待。
第二种刷新方式更灵活一些。
