随笔档案「2023年3月」 - ASEMI首芯

摘要：编辑：ll ASEMI代理MIMXRT1064CVJ5B原装现货NXP车规级MIMXRT1064CVJ5B 型号：MIMXRT1064CVJ5B 品牌：NXP /恩智浦封装：LFGBA-196 批号：2023+ 安装类型：表面贴装型引脚数量：196 类型：集成电路IC MIMXRT1064CVJ 阅读全文

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ASEMI代理PCF7939MA/CABC0800原装NXP车规级PCF7939MA/CABC0800

摘要：ASEMI代理PCF7939MA/CABC0800原装NXP车规级PCF7939MA/CABC0800 阅读全文

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ASEMI代理MCIMX6S5DVM10ACR原装现货NXP车规级MCIMX6S5DVM10ACR

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ASEMI代理PCF7939MA原装NXP车规级PCF7939MA芯片

摘要：编辑：ll ASEMI代理PCF7939MA原装NXP车规级PCF7939MA芯片型号：PCF7939MA 品牌：NXP/恩智浦封装：SOT-385 批号：2023+ 安装类型：表面贴装型 PCF7939MA 汽车芯片静态电容的变化（与动态电容变化相反）使用连续自动校准自动补偿。遥感板（例如阅读全文

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ASEMI代理TW6869-TA1-CRH瑞萨TW6869-TA1-CRH车规级

摘要：编辑：ll ASEMI代理TW6869-TA1-CRH瑞萨TW6869-TA1-CRH车规级型号：TW6869-TA1-CRH 品牌：Renesas /瑞萨封装：TQFP144 批号：2023+ 安装类型：表面贴装型电压：引脚数量：144 类型：集成电路IC 描述：视频-解码器-IC、视频接阅读全文

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ASEMI代理TW8825-LA1-CR瑞萨TW8825-LA1-CR车规级

摘要：编辑：ll ASEMI代理TW8825-LA1-CR瑞萨TW8825-LA1-CR车规级型号：TW8825-LA1-CR 品牌：Renesas /瑞萨封装：QFP-128 批号：2023+ 安装类型：表面贴装型 W9992AT-NA1-GE 模拟视频解码器软件可选模拟输入控制允许单端CVBS 阅读全文

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ASEMI代理TW9992AT-NA1-GE瑞萨TW9992AT-NA1-GE车规级

摘要：编辑：ll ASEMI代理TW9992AT-NA1-GE瑞萨TW9992AT-NA1-GE车规级型号：TW9992AT-NA1-GE 品牌：Renesas /瑞萨封装：QFN-32 批号：2023+ 安装类型：表面贴装型电压：1.8V 引脚数量：32 类型：集成电路IC 描述：视频-解码器-I 阅读全文

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20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65

摘要：编辑：ll 20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65 型号：20N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.42Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管阅读全文

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16N65-ASEMI高压N沟道MOS管16N65

摘要：编辑：ll 16N65-ASEMI高压N沟道MOS管16N65 型号：16N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：16A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.17Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：封阅读全文

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12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65

摘要：编辑：ll 12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65 型号：12N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：12A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.68Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管阅读全文

posted @ 2023-03-11 13:18 ASEMI首芯阅读(137) 评论(0) 推荐(0)

10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65

摘要：编辑：ll 10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65 型号：10N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.9Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：封装阅读全文

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7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65

摘要：编辑：ll 7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65 型号：7N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：1.35Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应阅读全文

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4N65-ASEMI高压N沟道MOS管4N65

摘要：编辑：ll 4N65-ASEMI高压N沟道MOS管4N65 型号：4N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：2.5Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：封装尺寸：如阅读全文

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16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60

摘要：编辑：ll 16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60 型号：16N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：16A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.17Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管阅读全文

posted @ 2023-03-09 14:36 ASEMI首芯阅读(268) 评论(0) 推荐(0)

12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60

摘要：编辑：ll 12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60 型号：12N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：12A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.68Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：封阅读全文

posted @ 2023-03-09 13:23 ASEMI首芯阅读(322) 评论(0) 推荐(0)

10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60

摘要：编辑：ll 10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管阅读全文

posted @ 2023-03-08 10:36 ASEMI首芯阅读(325) 评论(0) 推荐(0)

7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60

摘要：编辑：ll 7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60 型号：7N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：1.2Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：封装尺寸：如阅读全文

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AO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415

摘要：编辑：ll AO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415 型号：AO3415 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-5A 漏源击穿电压：-20V RDS（ON）Max：0.055Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua 特性：P沟道阅读全文

posted @ 2023-03-07 10:47 ASEMI首芯阅读(218) 评论(0) 推荐(0)

4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60

摘要：编辑：ll 4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60 型号：4N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：2.5Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：封装尺寸：阅读全文

posted @ 2023-03-07 09:53 ASEMI首芯阅读(378) 评论(0) 推荐(0)

AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401

摘要：编辑：ll AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.2A 漏源击穿电压：-30V RDS（ON）Max：0.05Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua 特性：P沟阅读全文

posted @ 2023-03-06 11:25 ASEMI首芯阅读(345) 评论(0) 推荐(0)

AO3400-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400

摘要：编辑：ll AO3400-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400 型号：AO3400 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：5.8A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：0.033Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片阅读全文

posted @ 2023-03-06 11:06 ASEMI首芯阅读(346) 评论(0) 推荐(0)

SI2302-ASEMI低压N沟道MOS管SI2302

摘要：编辑：ll SI2302-ASEMI低压N沟道MOS管SI2302 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：2.9A 漏源击穿电压：20V RDS（ON）Max：0.045Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道阅读全文

posted @ 2023-03-04 15:10 ASEMI首芯阅读(343) 评论(0) 推荐(0)

SI2301-ASEMI中低压P沟道MOS管SI2301

摘要：编辑：ll SI2301-ASEMI中低压P沟道MOS管SI2301 型号：SI2301 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-2.2A 漏源击穿电压：-20V RDS（ON）Max：0.13Ω 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯阅读全文

posted @ 2023-03-04 14:38 ASEMI首芯阅读(412) 评论(0) 推荐(0)

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03 2023 档案

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