10N60-ASEMI电源AI器件专用10N60

编辑：ll

10N60-ASEMI电源AI器件专用10N60

型号：10N60

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

批号：最新

最大漏源电流：10A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：0.85Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

‌10N60系列MOS管：高耐压功率器件驱动多元场景效能升级‌

作为中高压领域的高性能MOSFET，10N60系列凭借其卓越的电气特性和广泛适用性，成为工业、新能源及消费电子领域的核心功率开关解决方案。以下从核心性能、应用场景及技术优势三方面解析其核心价值。

‌一、核心性能：高耐压与低损耗的平衡‌

‌耐压与电流能力‌

漏源电压（VDS）覆盖600V至650V，适配高压电源转换与逆变场景；

连续漏极电流（ID）达10A，脉冲电流（ISM）高达40A，满足高功率负载需求。

‌低损耗与快速响应‌

导通电阻（RDS(ON)）最低至0.6Ω@VGS=10V，显著降低导通损耗；

低栅极电荷（典型值44nC）与快速切换能力（反向恢复时间Trr=600nS），提升开关频率与能效。

‌环境适应性‌

工作温度范围-55℃至+150℃，适应极端温控环境；

栅源电压（VGS）支持±30V，兼容复杂驱动电路设计。

‌二、应用场景：覆盖多领域高效需求‌

‌电源管理系统‌：

用于AC-DC开关电源、UPS系统及DC-DC转换器，优化电能转换效率与稳定性；

‌新能源与储能‌：

集成于太阳能逆变器、风力发电变频器及电池管理系统，提升可再生能源利用率；

‌工业与家电控制‌：

驱动电机控制模块（如工业电机、空调压缩机）、H桥PWM电路，增强设备响应速度与寿命；

‌智能照明与消费电子‌：

支持大功率LED驱动、调光系统及家电电源适配器，实现高效能与低能耗平衡；

‌电动汽车与充电设施‌：

应用于车载电源管理、快充桩模块，优化能量分配与充电效率。