ASE8N65S-ASEMI高压N沟道MOS管ASE8N65S

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ASE8N65S-ASEMI高压N沟道MOS管ASE8N65S

型号：ASE8N65S

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

最大漏源电流：8A

漏源击穿电压：650V

批号：最新

RDS（ON）Max：1.25Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

ASE8N65S场效应管

ASE8N65S的电性参数：最大漏源电流8A；漏源击穿电压650V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=-650V，Id=8A

RDS（开）:1.25Ω （最大值）@VG=30V