AO3400A-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400A

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AO3400A-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400A

型号：AO3400A

品牌：ASEMI

封装：SOT-23

批号：最新

最大漏源电流：5.8A

漏源击穿电压：30V

RDS（ON）Max：30mΩ

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的AO3400A MOS管

  ASEMI品牌AO3400A是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了AO3400A的最大漏源电流5.8A，漏源击穿电压30V.

•细节体现差距

AO3400A,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

AO3400A具体参数为：最大漏源电流：5.8A，漏源击穿电压：30V，反向恢复时间： ns，封装：SOT-23