AO3407-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3407

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AO3407-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3407

型号：AO3407

品牌：ASEMI

封装：SOT-23

最大漏源电流：-4.1A

漏源击穿电压：-30V

批号：最新

RDS（ON）Max：65mΩ

引脚数量：3

沟道类型：P沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：中低压MOS管、P沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

AO3407场效应管

AO3407的电性参数：最大漏源电流-4.1A；漏源击穿电压-30V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=-30V，Id=-4.1A

RDS（开）:65mΩ （最大值）@VG=-30V